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产品详情
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
NTJS3151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.7A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 100µA
8.6nC @ 4.5V
850pF @ 12V
625mW(Ta)
60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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