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电压 - 隔离
电流传输比（最小值）
电流传输比（最大值）
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输入类型
输出类型
电压 - 输出（最大值）
电流 - 输出/通道
电压 - 正向（Vf）（典型值）
电流 - DC 正向（If）
Vce 饱和值（最大值）
工作温度
安装类型
原产地
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
25°C 时Td值
测试条件
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
¥103.50
Infineon IKW25T120 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
通孔
-
IKW25T120FKSA1
50 A
±20V
-
190 W
TO-247
N
3
-
单
16.13mm
5.21mm
21.1mm
¥39.51
IXYS IXYP8N90C3 N沟道 IGBT, 48 A, Vce=900 V, 50kHz, 3引脚 TO-220封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
通孔
-
IXYP8N90C3
48 A
±20V
-
125 W
TO-220
N
3
50kHz
单
10.66mm
4.83mm
16mm
¥159.09
Infineon IRGP4790DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=650 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
通孔
-
IRGP4790DPBF
140 A
±20V
-
455 W
TO-247AC
N
3
8 → 30kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
¥9.78
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTB123EKT146
PNP - 预偏压
50V
39 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.84
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 50V 0.15W SC89
京电港自营
自营
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DTC014YEBTL
NPN - 预偏压
50V
80 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
-
250MHz
150mW
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.90
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置ISTOR
京电港自营
自营
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DTC123YCAT116
NPN - 预偏压
50V
33 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥11.49
OPTOISO Lite-On 光隔离器 5KV TRANS W/BASE 6SMD
京电港自营
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1
5000Vrms
100% @ 10mA
200% @ 10mA
-
5µs，5µs
DC
有基极的晶体管
70V
150mA
1.45V
60mA
300mV
-55°C ~ 100°C
表面贴装
-
CNY17-3S
6-SMD
6-SMD，鸥翼型
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥8.40
Preci-Dip IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 6POS GOLD
京电港自营
自营
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通孔
-
110-83-306-41-001101
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
110
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
6（2 x 3）
0.100"（2.54mm）
金
29.5µin（0.75µm）
铜铍
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
-
黄铜
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯，玻璃纤维增强型
¥66.30
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN SOCKET TRANSIST TO100 10POS
京电港自营
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-55°C ~ 125°C
通孔
-
917-93-210-41-005000
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
917
晶体管，TO-100
10（圆形）
-
金
30µin（0.76µm）
铜铍
封闭框架
焊接
-
锡 - 铅
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
¥83.64
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 40POS GOLD
京电港自营
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-55°C ~ 125°C
通孔
-
110-93-640-41-001000
管件
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
110
DIP，0.6"（15.24mm）行间距
40（2 x 20）
0.100"（2.54mm）
金
30µin（0.76µm）
铜铍
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡 - 铅
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
¥5.10
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO8FL
京电港自营
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表面贴装
-
NTMFS4C13NT1G
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.2A（Ta），38A（Tc）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW（Ta）
9.1 毫欧 @ 30A，10V
¥32.91
STANDRD SOLDER TAIL SIP SOCKET
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-55°C ~ 125°C
通孔
-
317-47-116-41-005000
管件
317
SIP
16（1 x 16）
0.070"（1.78mm）
金
闪存
铜铍
-
焊接
0.070"（1.78mm）
锡
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
¥17.25
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 70A ATPAK
京电港自营
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表面贴装
-
ATP302-TL-H
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
70A（Ta）
4.5V，10V
-
115nC @ 10V
5400pF @ 20V
70W（Tc）
13 毫欧 @ 35A，10V
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 200V 0.5A CPH3
京电港自营
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收藏 加入购物车
表面贴装
-
CPH3459-TL-W
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.4nC @ 10V
90pF @ 20V
1W（Ta）
3.7 欧姆 @ 250mA，10V
¥93.24
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 1350V 80A 394W TO247
京电港自营
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标准
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
-
NGTB40N135IHRWG
TO-247
TO-247-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
-
沟槽型场截止
1350V
80A
120A
2.7V @ 15V，40A
394W
1.3mJ（关）
-/250ns
600V，40A，10 欧姆，15V
¥0.63
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
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-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
BC857CWT1G
PNP
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
-
45V
100mA
150mW
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
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NSBA144WDP6T5G
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
408mW
SOT-963
SOT-963
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
-
¥4.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1A WDFN3
京电港自营
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-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
NSS12100UW3TCG
PNP
3-WDFN（2x2）
3-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
12V
1A
740mW
440mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
200MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT56
京电港自营
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EMF5XV6T5
1 NPN 预偏压式，1 PNP
50V，12V
80 @ 5mA，10V / 270 @ 10mA，2V
250mV @ 300µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA
500nA
-
500mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥15.78
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 300V 1A TO220AB
京电港自营
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-65°C ~ 150°C（TJ）
通孔
-
TIP48G
NPN
TO-220AB
TO-220-3
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
-
300V
1A
2W
1V @ 200mA，1A
1mA
30 @ 300mA，10V
10MHz

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