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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
类型
铜端口
铜类型
光纤端口
光纤类型
SFP/XFP 端口
特性
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
原厂标准交货期
产品型号
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
产品系列
IGBT 类型
配置
最大集射极击穿电压
不同 Vge，Ic 时的 Vce
不同 Vce 时的输入电容
输入
封装类型
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
尺寸
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC144WE-7-F
NPN - 预偏压
100mA
47k
22k
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥14.19
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 120V 1A SOT-89
京电港自营
自营
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-
1A
120V
2.5V @ 2mA，2A
10µA
3000 @ 1A，5V
1W
160MHz
表面贴装
FCX705TA
PNP - 达林顿
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTA123TKA-7-F
PNP - 预偏压
100mA
2.2k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.55
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
京电港自营
自营
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-
500mA
350V
1V @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
20 @ 50mA，10V
300mW
50MHz
表面贴装
12 周
DP350T05-7
PNP
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.74
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 1A SOT223
京电港自营
自营
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-
1A
100V
-
50nA（ICBO）
100 @ 150mA，200mV
2W
-
表面贴装
ZXTP4003GTA
PNP
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 25V 2A SM8
京电港自营
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-
2A
25V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 1A，2V
2.75W
160MHz
ZDT749TC
2 PNP（双）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V TO220AB
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
通孔
8 周
DMT10H010LCT
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥13.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
21.5nC @ 4.5V
1788pF @ 10V
±10V
-
610mW（Ta）
14 毫欧 @ 9A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
16 周
DMN2020UFCL-7
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
京电港自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
±20V
-
1.97W（Ta）
110 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
DMP6110SFDF-7
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥17.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 18V
±20V
-
700mW（Ta）
2 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
16 周
ZVN2106A
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥43.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
京电港自营
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-
表面贴装
16 周
ZXMHC10A07T8TA
1.3W
SM8
SOT-223-8
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
标准
100V
1A，800mA
700 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
2.9nC @ 10V
138pF @ 60V
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363
京电港自营
自营
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-
表面贴装
DMN5L06DW-7
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
50V
280mA
3 欧姆 @ 200mA，2.7V
1.2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
¥1.83
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
京电港自营
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56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
-
10 周
UMH1NTN
2 个 NPN 预偏压式（双）
UMT6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3627.26
B B 媒体转换器 SmartWorx IE-IMCV-T1/E1/J1-LINETERM, TP/FI
京电港自营
自营
收藏 暂时缺货
受控
1
T1/E1/J1
1
100BASE-FX（多模）
-
SNMP 可管理
5km
-
RJ48，SC
-
0°C ~ 50°C
iMcV
机架安装
4 周
850-18104
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
模块化 - 卡
¥926.40
Vishay 晶体管 IGBT 模块 SIP MODULE 600V 6A IMS-2
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-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
9 周
CPV363M4K
11A
250µA
36W
IMS-2
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
-
三相反相器
600V
2V @ 15V，11A
0.74nF @ 30V
标准
19-SIP（13 引线），IMS-2
¥63.36
Infineon IRGP4640PBF N沟道 IGBT, 65 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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通孔
IRGP4640PBF
-
TO-247AC
65 A
±30V
-
250 W
N
3
8 → 30kHz
单
15.87mm
5.31mm
20.7mm
¥1813.64
IMCV SNMP MANAGEABLE CONVRTR
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受控
1
10/100
1
100BASE-FX（多模）
-
LFPT，SNMP 可管理
2km
-
RJ45，ST
-
0°C ~ 50°C
iMcV
机架安装
4 周
850-15611
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
模块化 - 卡
¥97.08
Infineon IRG4PC50KPBF N沟道 IGBT, 52 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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¥193.74
STMicroelectronics STGB20N40LZ N沟道 IGBT, 25 A, Vce=425 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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表面贴装
STGB20N40LZ
-
D2PAK (TO-263)
25 A
16V
-
150 W
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
¥3.72
ROHM IMD16AT108 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 SC-74封装
京电港自营
新品 自营
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表面贴装
IMD16AT108
NPN PNP
-
SC-74
100 mA, 500 mA
300 mW
6
隔离式
2.9mm
1.6mm
1.1mm
2
2.2 kΩ
100
0.1
150 °C
2.9 x 1.6 x 1.1mm

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