|
|
DMG8880LK3-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
27.6nC @ 10V |
1289pF @ 15V |
±20V |
- |
1.68W（Ta） |
9.3 毫欧 @ 11.6A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMP4015SSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
47.5nC @ 5V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
1.45W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMN6013LFG-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
55.4nC @ 10V |
2577pF @ 30V |
±20V |
- |
1W（Ta） |
13 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN4206A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
5V，10V |
3V @ 1mA |
- |
100pF @ 25V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
1 欧姆 @ 1.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN6A08GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
5.8nC @ 10V |
459pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
80 毫欧 @ 4.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTMS4177PR2G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6.6A（Ta） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
55nC @ 10V |
3100pF @ 24V |
|
|
840mW（Ta） |
12 毫欧 @ 11.4A，10V |
|
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
NVMFS5C423NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
- |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
50nC @ 10V |
3100pF @ 20V |
|
|
3.7W（Ta）, 83W（Tc） |
2 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
ZVN2110A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
2.4V @ 1mA |
- |
75pF @ 25V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
4 欧姆 @ 1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN2106A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
2.4V @ 1mA |
- |
75pF @ 18V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
2 欧姆 @ 1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTMFS4833NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta），156A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
88nC @ 11.5V |
5600pF @ 12V |
|
|
910mW（Ta），125W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
DMNH6008SPSQ-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
40.1nC @ 10V |
2597pF @ 30V |
±20V |
- |
1.6W（Ta） |
8 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NDD02N60Z-1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.2A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
10.1nC @ 10V |
274pF @ 25V |
|
|
57W（Tc） |
4.8 欧姆 @ 1A，10V |
|
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
ATP302-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
70A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
115nC @ 10V |
5400pF @ 20V |
|
|
70W（Tc） |
13 毫欧 @ 35A，10V |
|
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
|
ZXMN3A01E6TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
3.9nC @ 10V |
190pF @ 25V |
±20V |
- |
1.1W（Ta） |
120 毫欧 @ 2.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-6 |
SOT-23-6 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN2005UFG-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
164nC @ 10V |
6495pF @ 10V |
±12V |
- |
1.05W（Ta） |
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
NVD6824NLT4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.5A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
66nC @ 10V |
3468pF @ 25V |
|
|
3.9W（Ta），90W（Tc） |
20 毫欧 @ 20A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
NTMFS5C450NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
24A（Ta）, 102A（Tc） |
10V |
3.5V @ 65µA |
5.1nC @ 10V |
1600pF @ 25V |
|
|
3.6W（Ta）, 68W（Tc） |
3.3 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NVTFS5124PLTAG |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.4A（Ta） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
6nC @ 10V |
250pF @ 25V |
|
|
3W（Ta），18W（Tc） |
260 毫欧 @ 3A，10V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTMFS4833NT3G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta），156A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
88nC @ 11.5V |
5600pF @ 12V |
|
|
910mW（Ta），125W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
VN10LP |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
5V，10V |
2.5V @ 1mA |
- |
60pF @ 25V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
5 欧姆 @ 500mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
