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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥16.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 18.5A D2PAK
京电港自营
自营
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NTB5605PT4G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
18.5A（Ta）
5V
2V @ 250µA
22nC @ 5V
1190pF @ 25V
88W（Tc）
140 毫欧 @ 8.5A，5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥16.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
京电港自营
自营
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DMP6050SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 10V
1293pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 95A ATPAK
京电港自营
自营
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ATP404-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
95A（Ta）
4.5V，10V
-
120nC @ 10V
6400pF @ 20V
70W（Tc）
7.2 毫欧 @ 48A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥15.54
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
京电港自营
自营
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ZVP3306A
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
50pF @ 18V
±20V
-
625mW（Ta）
14 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.33
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 18A DPAK
京电港自营
自营
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SVD5867NLT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
22A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
15nC @ 10V
675pF @ 25V
3.3W（Ta），43W（Tc）
39 毫欧 @ 11A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥15.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 4.65A POWERDI
京电港自营
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DMP4025SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.8V @ 250µA
33.7nC @ 10V
1643pF @ 20V
±20V
-
810mW（Ta）
25 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.18
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 40A ATPAK
京电港自营
自营
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ATP405-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
40A（Ta）
10V
-
68nC @ 10V
4000pF @ 20V
70W（Tc）
33 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
京电港自营
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ZXMN10A07ZTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
2.9nC @ 10V
138pF @ 50V
±20V
-
1.5W（Ta）
700 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-89-3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
京电港自营
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DMN6040SFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
660mW（Ta）
38 毫欧 @ 4.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
京电港自营
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DMP1245UFCL-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
950mV @ 250µA
26.1nC @ 8V
1357.4pF @ 10V
±8V
-
613mW（Ta）
29 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥14.88
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
京电港自营
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ZVN4306GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
±20V
-
3W（Ta）
330 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
京电港自营
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DMG4466SSSL-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
17nC @ 10V
478.9pF @ 15V
±20V
-
1.42W（Ta）
23 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
京电港自营
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DMS3016SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
44.6nC @ 10V
1886pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
980mW（Ta）
13 毫欧 @ 11.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9
京电港自营
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DMP2033UCB9-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.1V @ 250µA
7nC @ 4.5V
500pF @ 10V
-6V
-
1W（Ta）
33 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1515-9
9-UFBGA，WLBGA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥14.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6
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DMP25H18DLFDE-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5V，10V
2.5V @ 1mA
2.8nC @ 10V
81pF @ 25V
±40V
-
600mW（Ta）
14 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥14.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
京电港自营
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DMNH10H028SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.3V @ 250µA
36nC @ 10V
2245pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
28 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥14.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A MCH3
京电港自营
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MCH3383-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
0.9V，2.5V
800mV @ 1mA
6.2nC @ 2.5V
1010pF @ 6V
1W（Ta）
69 毫欧 @ 1.5A，2.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥14.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 11.2A IPAK
京电港自营
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NTD4858N-35G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.2A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W（Ta），54.5W（Tc）
6.2 毫欧 @ 30A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线，IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥14.13
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 78A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C55NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.9A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
30nC @ 10V
1972pF @ 15V
-
3.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
京电港自营
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DMP2066LSN-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
10.1nC @ 4.5V
820pF @ 15V
±12V
-
1.25W（Ta）
40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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