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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
京电港自营
自营
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DMP2160UW-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
-
627pF @ 10V
±12V
-
350mW（Ta）
100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2041L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
15.6nC @ 10V
550pF @ 10V
±12V
-
780mW（Ta）
28 毫欧 @ 6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 0.76A SOT-416
京电港自营
自营
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NTA4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
760mA（Tj）
1.8V，4.5V
450mV @ 250µA
2.1nC @ 4.5V
156pF @ 5V
301mW（Tj）
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
表面贴装
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥2.07
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT-23
京电港自营
自营
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DMP2160U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
-
627pF @ 10V
±12V
-
1.4W（Ta）
80 毫欧 @ 1.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 1.7A SOT23
京电港自营
自营
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NTR5198NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.7A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
182pF @ 25V
900mW（Ta）
155 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.10
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT323
京电港自营
自营
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DMN3065LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
11.7nC @ 10V
465pF @ 15V
±12V
-
770mW（Ta）
52 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
京电港自营
自营
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DMN3067LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
4.6nC @ 4.5V
447pF @ 10V
±12V
-
500mW（Ta）
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 0.15A SSFP
京电港自营
自营
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3LN01SS-TL-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
SC-81（SSFP）
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 400MA SOT-23
京电港自营
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NTR0202PLT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
400mA（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
2.18nC @ 10V
70pF @ 5V
225mW（Ta）
800 毫欧 @ 200mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
京电港自营
自营
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BSS84WQ-7-F
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
10 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN2400UFD-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
500nC @ 4.5V
37pF @ 16V
±12V
-
400mW（Ta）
600 毫欧 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 0.1A SMCP
京电港自营
自营
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3LP01SS-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.43nC @ 10V
7.5pF @ 10V
150mW（Ta）
10.4 欧姆 @ 50mA，4V
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.22
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT-723
京电港自营
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NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW（Ta）
350 毫欧 @ 890mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
京电港自营
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DMG3415U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
9.1nC @ 4.5V
294pF @ 10V
±8V
-
900mW（Ta）
39 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT-23
京电港自营
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DMP2035U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
15.4nC @ 4.5V
1610pF @ 10V
±8V
-
810mW（Ta）
35 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
京电港自营
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BSS127S-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
4.5V @ 250µA
1.08nC @ 10V
21.8pF @ 25V
±20V
-
610mW（Ta）
160 欧姆 @ 16mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 300MA SC70-3
京电港自营
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DMN5L06WK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
250mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3418L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
京电港自营
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DMP58D0LFB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，5V
2.1V @ 250µA
-
27pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
8 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606
京电港自营
自营
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DMP32D9UFZ-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，10V
1V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
22.5pF @ 15V
±10V
-
390mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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