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功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥5.58
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 0.17A SOT-23
京电港自营
自营
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1HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
170mA（Ta）
4V，10V
2.6V @ 100µA
0.9nC @ 10V
14pF @ 20V
-
18 欧姆 @ 80mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
京电港自营
自营
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DMP1011UCB9-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
10.5nC @ 4.5V
1060pF @ 4V
-6V
-
890mW（Ta）
10 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1515-9
9-UFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMN2028UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
18nC @ 8V
907pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥33.45
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH
京电港自营
自营
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DMTH6004SCTB-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
4.7W（Ta）, 136W（Tc）
3.4 毫欧 @ 100A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-263AB
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
京电港自营
自营
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DMN3033LSNQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.5nC @ 5V
755pF @ 10V
±20V
-
1.4W（Ta）
30 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
京电港自营
自营
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DMN2005UFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
164nC @ 10V
6495pF @ 10V
±12V
-
1.05W（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
京电港自营
自营
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ZXMP10A18KTC
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
26.9nC @ 10V
1055pF @ 50V
±20V
-
2.17W（Ta）
150 毫欧 @ 2.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥55.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 49A SO8FL
京电港自营
自营
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NVMFS5C404NLWFT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
49A（Ta），352A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 250µA
181nC @ 10V
12168pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.75 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥1.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3418L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2A MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3476-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
1.8V，4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW（Ta）
125 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
京电港自营
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DMT3006LFDF-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.7V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
7 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
京电港自营
自营
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DMN6040SVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
1.2W（Ta）
44 毫欧 @ 4.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥7.14
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.8A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4821NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.8A（Ta），58.5A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
16nC @ 4.5V
1400pF @ 12V
870mW（Ta），38.5W（Tc）
6.95 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI
京电港自营
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DMP3010LPS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
126.2nC @ 10V
6234pF @ 15V
±20V
-
2.18W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
京电港自营
自营
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ZVN4306GVTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
±20V
-
3W（Ta）
330 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
京电港自营
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DMN67D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 8A 20V MCPH3
京电港自营
自营
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MCH3376-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.33
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3477-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
京电港自营
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DMN3200U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
-
290pF @ 10V
±8V
-
650mW（Ta）
90 毫欧 @ 2.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
京电港自营
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DMP3036SFG-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
16.5nC @ 10V
1931pF @ 15V
±25V
-
950mW（Ta）
20 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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