|
|
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
44-LCC（J 形引线） |
|
- |
N78E366APG |
|
36 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 8x8b |
内部 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
管件 |
|
CY8C21123-24SXI |
|
6 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
8-SOIC |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
NuMicro™ NUC131 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
CAN，I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
64-LQFP |
|
- |
NUC131SD2AE |
|
56 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NuMicro™ NUC220 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NUC220LC2AN |
|
31 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NANO100LC2BN |
|
38 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78 |
8052 |
8-位 |
24MHz |
EBI/EMI，串行端口 |
POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
44-LCC（J 形引线） |
|
- |
W78L365A24PL |
|
36 |
0°C ~ 70°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N78 |
8051 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
1.25K x 8 |
- |
内部 |
40-DIP（0.600"，15.24mm） |
|
- |
N78E366ADG |
|
32 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XC9536XL-10CS48I |
系统内可编程（最少 10，000 次编程/擦除循环） |
36 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-FBGA，CSPBGA |
48-CSBGA（7x7） |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XC9536XL-10CSG48I |
系统内可编程（最少 10，000 次编程/擦除循环） |
36 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-FBGA，CSPBGA |
48-CSBGA（7x7） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
外部 |
44-LCC（J 形引线） |
|
- |
W78E058DPG |
|
36 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
1.5K x 8 |
A/D 11x8/10b |
内部 |
24-WFQFN 裸露焊盘 |
|
- |
R5F1027AANA#U0 |
|
22 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
|
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
托盘 |
|
CY8C4014LQI-412 |
|
20 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
24-QFN-EP（4x4） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
|
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
POR，PWM，WDT |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 2x9b |
内部 |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
标准卷带 |
|
CY8C24423A-24PVXIT |
|
24 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
28-SSOP |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
M0519LD3AE |
|
38 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NuMicro™ NUC123 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
- |
内部 |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
|
- |
NUC123ZD4AN0 |
|
20 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
- |
内部 |
64-LQFP |
|
- |
NUC122SC1AN |
|
41 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NuMicro M0519 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVR，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
16K x 8 |
A/D 16x12b |
内部 |
64-LQFP |
|
- |
M0519SD3AE |
|
51 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
48-VFQFN 裸露焊盘 |
|
- |
NANO100ND2BN |
|
38 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NuMicro™ Nano100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
42MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 7x12b，D/A 2x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NANO100LD2BN |
|
38 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
16MHz |
I²C |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
D/A 1x7b，1x8b |
内部 |
28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
管件 |
|
CY8C4014PVI-412 |
|
20 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
28-SSOP |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
