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功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.22
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT-723
京电港自营
自营
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NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW（Ta）
350 毫欧 @ 890mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.18
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
京电港自营
自营
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DMN10H220L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W（Ta）
220 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 23A WDFN8
京电港自营
自营
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NTTFS5C453NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
23A（Ta），107A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 63µA
35nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.3W（Ta）, 68W（Tc）
3 毫欧 @ 40A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥39.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
京电港自营
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NTMS10P02R2G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.8A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
70nC @ 4.5V
3640pF @ 16V
1.6W（Ta）
14 毫欧 @ 10A，4.5V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
京电港自营
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DMS3014SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
45.7nC @ 10V
2296pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.55W（Ta）
13 毫欧 @ 10.4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
京电港自营
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DMN6069SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1480pF @ 30V
±20V
-
930mW（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
京电港自营
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DMPH6050SK3Q-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1377pF @ 30V
±20V
-
1.9W（Ta）
50 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 170MA SOT-23-3
京电港自营
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BVSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
170mA（Ta）
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥2.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
京电港自营
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DMP3056L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 4A CPH6
京电港自营
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CPH6354-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
14nC @ 10V
600pF @ 20V
1.6W（Ta）
100 毫欧 @ 2A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
京电港自营
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DMN2500UFB4-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
460mW（Ta）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥17.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V IPAK
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NDD02N60Z-1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.2A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
10.1nC @ 10V
274pF @ 25V
57W（Tc）
4.8 欧姆 @ 1A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥3.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2A 6-TSOP
京电港自营
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NVGS3443T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.1A（Ta）
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
565pF @ 5V
-
65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
京电港自营
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NTTFS4930NTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta），23A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 15V
790mW（Ta），20.2W（Tc）
23 毫欧 @ 6A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥7.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
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DMN4008LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3V，10V
3V @ 250µA
74nC @ 10V
3537pF @ 20V
±20V
-
1W（Ta）
7.5 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
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DI9400T
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.8V @ 250µA
25nC @ 10V
350pF @ 10V
±20V
-
1W（Ta）
130 毫欧 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SMD，鸥翼型
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
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DMG3418L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
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DMN3018SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
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DMN2020UFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
21.5nC @ 4.5V
1788pF @ 10V
±10V
-
610mW（Ta）
14 毫欧 @ 9A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥43.98
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 76A D2PAK
京电港自营
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NTB6410ANT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
76A（Tc）
10V
4V @ 250µA
120nC @ 10V
4500pF @ 25V
188W（Tc）
13 毫欧 @ 76A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周

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