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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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原厂标准交货期
¥1.05
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
京电港自营
自营
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DMN65D8LFB-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
25pF @ 25V
±20V
-
430mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.05
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
京电港自营
自营
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DMN53D0U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
37.1pF @ 25V
±12V
-
520mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.08
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 170MA SOT-23
京电港自营
自营
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BSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
170mA（Ta）
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥1.11
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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MMBFV170LT3G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥1.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
京电港自营
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2N7002H-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V
3V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
26pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2305UX-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
10.2nC @ 4.5V
808pF @ 15V
±8V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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DMN53D0L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
46pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
京电港自营
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DMP210DUFB4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 15V
±10V
-
350mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 170MA SOT-23-3
京电港自营
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BVSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
170mA（Ta）
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥1.20
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.3A DFN0806-3
京电港自营
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DMP32D5LFA-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
40.9pF @ 15V
±8V
-
360mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 210MA SOT-723
京电港自营
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NTK3043NT5G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
210mA（Ta）
1.65V，4.5V
1.3V @ 250µA
-
11pF @ 10V
310mW（Ta）
3.4 欧姆 @ 10mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥1.20
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3
京电港自营
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2N7002E-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.22nC @ 4.5V
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 250mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V SOT-23-3
京电港自营
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NVR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23（TO-236AB）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
京电港自营
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DMP3099L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
563pF @ 25V
±20V
-
1.08W（Ta）
65 毫欧 @ 3.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
京电港自营
自营
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NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥1.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
京电港自营
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DMN63D1LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
310mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
京电港自营
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DMG1012T-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
280mW（Ta）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMG1013T-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.622nC @ 4.5V
59.76pF @ 16V
±6V
-
270mW（Ta）
700 毫欧 @ 350mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.5A
京电港自营
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MMBF170Q-13-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
-
40pF @ 10V
±20V
-
300mW（Ta）
5 欧姆 @ 200mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DMN61D9U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周

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