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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥0.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
自营
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DMN65D8LQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.37
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3404L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
±20V
-
780mW（Ta）
25 毫欧 @ 5.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT23
京电港自营
自营
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MGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW（Ta）
90 毫欧 @ 1.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
京电港自营
自营
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DMN3030LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
25nC @ 10V
741pF @ 15V
±25V
-
2.5W（Ta）
18 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP3036SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
16.5nC @ 10V
1931pF @ 15V
±25V
-
950mW（Ta）
20 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V TO220AB
京电港自营
自营
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DMT10H010LCT
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥8.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 10A SOT223
京电港自营
自营
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NTF6P02T3G
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10A（Ta）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
20nC @ 4.5V
1200pF @ 16V
8.3W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，4.5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9
京电港自营
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DMP2033UCB9-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.1V @ 250µA
7nC @ 4.5V
500pF @ 10V
-6V
-
1W（Ta）
33 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1515-9
9-UFBGA，WLBGA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
京电港自营
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DMN26D0UT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
14.1pF @ 15V
±10V
-
300mW（Ta）
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
京电港自营
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DMG7430LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
26.7nC @ 10V
1281pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
11 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
京电港自营
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DMN4468LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.95V @ 250µA
18.85nC @ 10V
867pF @ 10V
±20V
-
1.52W（Ta）
14 毫欧 @ 11.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.04
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.9A 8WDFN
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NTTFS4939NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.9A（Ta），52A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
28nC @ 10V
1979pF @ 15V
850mW（Ta），29.8W（Tc）
5.5 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥17.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
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ZVN2106A
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 18V
±20V
-
700mW（Ta）
2 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 25A TO252
京电港自营
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DMNH6042SK3-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.8nC @ 10V
492pF @ 25V
±20V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
京电港自营
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DMN3025LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
±20V
-
1.4W（Ta）
20 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥0.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 260MA SOT-23
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2N7002ET1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.81nC @ 5V
26.7pF @ 25V
300mW（Tj）
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523
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DMP21D0UT-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
700mV @ 250µA
1.54nC @ 8V
80pF @ 10V
±8V
-
240mW（Ta）
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A SCH6
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SCH1332-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
95 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
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DMP3026SFDF-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.52
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 9A DPAK
京电港自营
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NTD3055-150T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
10V
4V @ 250µA
15nC @ 10V
280pF @ 25V
1.5W（Ta），28.8W（Tj）
150 毫欧 @ 4.5A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周

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