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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
京电港自营
自营
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DMN2046U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
292pF @ 10V
±12V
-
760mW（Ta）
72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.70
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
京电港自营
自营
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DMP3056L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23
京电港自营
自营
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DMP6350S-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
4.1nC @ 10V
206pF @ 30V
±20V
-
720mW（Ta）
350 毫欧 @ 900mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.01
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 6A MCPH6
京电港自营
自营
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MCH6436-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W（Ta）
34 毫欧 @ 3A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
京电港自营
自营
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DMN4034SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
453pF @ 20V
±20V
-
1.56W（Ta）
34 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
京电港自营
自营
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DMN6070SFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
606pF @ 20V
±20V
-
600mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥20.73
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 24A DPAK
京电港自营
自营
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NTD24N06T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
24A（Ta）
10V
4V @ 250µA
48nC @ 10V
1200pF @ 25V
1.36W（Ta），62.5W（Tj）
42 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A SOT563
京电港自营
自营
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SCH1332-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
95 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
京电港自营
自营
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BSS127S-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
4.5V @ 250µA
1.08nC @ 10V
21.8pF @ 25V
±20V
-
610mW（Ta）
160 欧姆 @ 16mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
京电港自营
自营
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DMP1045UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
23.7nC @ 8V
1291pF @ 10V
±8V
-
700mW（Ta）
32 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMN2011UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W（Ta）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
京电港自营
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DMT3020LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
±20V
-
700mW（Ta）, 1.8W（Tc）
17 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 13A SGL DPAK
京电港自营
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NTD4904NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
41nC @ 10V
3052pF @ 15V
1.4W（Ta），52W（Tc）
3.7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥13.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
京电港自营
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DMP1022UFDF-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
800mV @ 250µA
48.3nC @ 8V
2712pF @ 10V
±8V
-
730mW（Ta）
15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.90
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 28A ATPAK
京电港自营
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ATP301-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
28A（Ta）
10V
-
73nC @ 10V
4000pF @ 20V
70W（Tc）
75 毫欧 @ 14A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
京电港自营
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NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥2.55
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.3A SOT23
京电港自营
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NVTR01P02LT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.3A（Ta）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
3.1nC @ 4V
225pF @ 5V
400mW（Ta）
220 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23-3
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DMP2225L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W（Ta）
110 毫欧 @ 2.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.62
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
京电港自营
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MCH3374-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4V
-
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
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DMN3008SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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