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FET功能
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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
京电港自营
自营
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DMN3023L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 250µA
18.4nC @ 10V
873pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
自营
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DMN2028UVT-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.52
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.3A SC-88
京电港自营
自营
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NTJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.3A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1W（Ta）
60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥2.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
京电港自营
自营
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BSS127SSN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
4.5V @ 250µA
1.08nC @ 10V
21.8pF @ 25V
±20V
-
610mW（Ta）
160 欧姆 @ 16mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.55
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.3A SOT23
京电港自营
自营
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NVTR01P02LT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.3A（Ta）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
3.1nC @ 4V
225pF @ 5V
400mW（Ta）
220 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
京电港自营
自营
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DMP2215L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W（Ta）
100 毫欧 @ 2.7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.58
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A CPH3
京电港自营
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CPH3360-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
900mW（Ta）
303 毫欧 @ 800mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4A SC59
京电港自营
自营
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DMG3407SSN-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
16nC @ 10V
700pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 4.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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NMSD200B01-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
肖特基二极管（隔离式）
200mW（Ta）
3 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
京电港自营
自营
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DMP3030SN-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 1mA
-
160pF @ 10V
±20V
-
500mW（Ta）
250 毫欧 @ 400mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.58
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.2A SC70-3
京电港自营
自营
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NTS4173PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2A（Ta）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
10.1nC @ 10V
430pF @ 15V
290mW（Ta）
150 毫欧 @ 1.2A，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
京电港自营
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DMN6140LQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
315pF @ 40V
±20V
-
700mW（Ta）
140 毫欧 @ 1.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN
京电港自营
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DMN2005LPK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4V
1.2V @ 100µA
-
-
±10V
-
450mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.61
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
京电港自营
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DMN2114SN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 1mA
-
180pF @ 10V
±12V
-
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.61
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
京电港自营
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DMN2112SN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.2V @ 1mA
-
220pF @ 10V
±8V
-
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.61
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 150MA 3CP
京电港自营
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3LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
250mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
京电港自营
自营
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DMP21D0UFD-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
3nC @ 4.5V
80pF @ 10V
±8V
-
490mW（Ta）
495 毫欧 @ 800mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
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DMN1019USN-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，2.5V
800mV @ 250µA
50.6nC @ 8V
2426pF @ 10V
±8V
-
680mW（Ta）
10 毫欧 @ 9.7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
京电港自营
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DMP2104LP-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
320pF @ 16V
±12V
-
500mW（Ta）
150 毫欧 @ 950mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1411（1.4x1.1）
3-XDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 0.37A SB69
京电港自营
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6HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
370mA（Ta）
4V，10V
-
0.84nC @ 10V
24.1pF @ 20V
-
4.2 欧姆 @ 190mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周

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