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FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
DMN10H220L-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
8.3nC @ 10V
401pF @ 25V
±16V
-
1.3W(Ta)
220 毫欧 @ 1.6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP32D4SFB-7B
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
2.3V @ 250µA
1.3nC @ 10V
51pF @ 15V
±20V
-
500mW(Ta)
2.4 欧姆 @ 200mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
3-DFN1006(1.0x0.6)
3-UFDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.00
自营
NVMFS5C423NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
4.5V,10V
2V @ 250µA
50nC @ 10V
3100pF @ 20V
3.7W(Ta), 83W(Tc)
2 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥3.84
自营
MCH3477-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.10
自营
NTMFS4C13NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.2A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW(Ta)
9.1 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.84
自营
ATP106-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
30A(Ta)
4.5V,10V
-
29nC @ 10V
1380pF @ 20V
40W(Tc)
25 毫欧 @ 15A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
DMP2160UW-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
900mV @ 250µA
-
627pF @ 10V
±12V
-
350mW(Ta)
100 毫欧 @ 1.5A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
ZXMN2B01FTA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
4.8nC @ 4.5V
370pF @ 10V
±8V
-
625mW(Ta)
100 毫欧 @ 2.4A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.39
自营
PCP1403-TD-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6.7nC @ 10V
310pF @ 20V
3.5W(Tc)
117 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
SOT-89/PCP-1
TO-243AA
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥32.01
自营
DMT10H015LFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6V,10V
3.5V @ 250µA
33.3nC @ 10V
1871pF @ 50V
±20V
-
2W(Ta),35W(Tc)
13.5 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP2021UFDE-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±10V
-
1.9W(Ta)
16 毫欧 @ 7A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
ZXMP4A57E6TA
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
15.8nC @ 10V
833pF @ 20V
±20V
-
1.1W(Ta)
80 毫欧 @ 4A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP2007UFG-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W(Ta)
5.5 毫欧 @ 15A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN61D9UW-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
320mW(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.43
自营
NVF2201NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
150mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
DMN65D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
300mW(Ta)
3 欧姆 @ 115mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMNH4011SK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
2.6W(Ta)
10 毫欧 @ 50A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
TO-252
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥15.96
自营
ATP404-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
95A(Ta)
4.5V,10V
-
120nC @ 10V
6400pF @ 20V
70W(Tc)
7.2 毫欧 @ 48A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DMN3110S-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
305.8pF @ 15V
±20V
-
740mW(Ta)
73 毫欧 @ 3.1mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.54
自营
NTMFS4936NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11.6A(Ta),79A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
43nC @ 10V
3044pF @ 15V
920mW(Ta),43W(Tc)
3.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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