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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
京电港自营
自营
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DMS3014SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
45.7nC @ 10V
2296pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.55W（Ta）
13 毫欧 @ 10.4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
京电港自营
自营
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DMN6069SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1480pF @ 30V
±20V
-
930mW（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.24
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 50A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH6012SPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V @ 250µA
35.2nC @ 10V
1926pF @ 30V
-
1.6W（Ta）
11 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
京电港自营
自营
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DMPH6050SK3Q-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1377pF @ 30V
±20V
-
1.9W（Ta）
50 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥14.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 55A TO252
京电港自营
自营
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DMNH10H028SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.3V @ 250µA
36nC @ 10V
2245pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
28 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252，（D-Pak）
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
京电港自营
自营
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DMG1012UW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
290mW（Ta）
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
京电港自营
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DMG6402LDM-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
9.2nC @ 10V
404pF @ 15V
±20V
-
1.12W（Ta）
27 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN2A01FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
700mV @ 250µA
3nC @ 4.5V
303pF @ 15V
±12V
-
625mW（Ta）
120 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.04
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 68A DPAK
京电港自营
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NTD4965NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），68A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17.2nC @ 4.5V
1710pF @ 15V
1.39W（Ta），38.5W（Tc）
4.7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥17.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI
京电港自营
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DMNH6008SPSQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
40.1nC @ 10V
2597pF @ 30V
±20V
-
1.6W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
京电港自营
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DMP3035LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
2V @ 250µA
30.7nC @ 10V
1655pF @ 20V
±25V
-
2W（Ta）
16 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥11.49
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V SO8FL
京电港自营
自营
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NTMFS5C456NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
4.5V，10V
2V @ 250µA
18nC @ 10V
1600pF @ 25V
3.6W（Ta）, 55W（Tc）
3.7 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
京电港自营
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DMN2013UFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
25.8nC @ 8V
2453pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-23
京电港自营
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NTR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W（Tj）
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
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DMN3018SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±25V
-
1W（Ta）
21 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.6A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTAG
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.6A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW（Ta）
62 毫欧 @ 4A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（1.6x1.6）
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥5.52
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 12A DPAK
京电港自营
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NTD3055-094T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12A（Ta）
10V
4V @ 250µA
20nC @ 10V
450pF @ 25V
1.5W（Ta），48W（Tj）
94 毫欧 @ 6A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥30.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
京电港自营
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ZXMN10A25GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
17nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.59
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89
京电港自营
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ZXMN6A11ZTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.7nC @ 10V
330pF @ 40V
±20V
-
1.5W（Ta）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥13.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
京电港自营
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DMN61D8L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V，5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
±12V
-
390mW（Ta）
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周

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