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FET功能
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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8
京电港自营
自营
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DMN3016LPS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
1.18W（Ta）
12 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 7.5A ECH8
京电港自营
自营
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ECH8315-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
18nC @ 10V
875pF @ 10V
1.5W（Ta）
25 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥23.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 100A TO263
京电港自营
自营
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DMTH4004SCTBQ-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
68.6nC @ 10V
4305pF @ 25V
±20V
-
4.7W（Ta）, 136W（Tc）
3 毫欧 @ 100A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-263AB（D²PAK）
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
京电港自营
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DMT6008LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
50.4nC @ 10V
2713pF @ 30V
±12V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
7.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMP3A16N8TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
29.6nC @ 10V
1022pF @ 15V
±20V
-
1.9W（Ta）
40 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
京电港自营
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DMN53D0L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
46pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
京电港自营
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DMN3023L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 250µA
18.4nC @ 10V
873pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A CHIPFET
京电港自营
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NTHD3101FT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Tj）
1.8V，4.5V
1.5V @ 250µA
7.4nC @ 4.5V
680pF @ 10V
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 3.2A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥4.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
京电港自营
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DMT6016LFDF-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
820mW（Ta）
16 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A
京电港自营
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DMN10H099SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
980mW（Ta）
80 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥100.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 2A TO-3PF-3
京电港自营
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2SK3747-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
3W（Ta），50W（Tc）
13 欧姆 @ 1A，10V
通孔
TO-3PF-3
SC-94
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥9.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 14.5A DPAK
京电港自营
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NTD4804NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
14.5A（Ta），124A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
40nC @ 4.5V
4490pF @ 12V
1.43W（Ta），107W（Tc）
4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
京电港自营
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DMG4468LFG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
18.85nC @ 10V
867pF @ 10V
±20V
-
990mW（Ta）
15 毫欧 @ 11.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.2A X2-DFN0606
京电港自营
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DMP32D9UFZ-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，10V
1V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
22.5pF @ 15V
±10V
-
390mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP
京电港自营
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DMP1096UCB4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
3.7nC @ 4.5V
251pF @ 6V
-5V
-
820mW（Ta）
102 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-WLB1010-4
4-UFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
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NTLJF4156NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tj）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW（Ta）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥5.49
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 11.2A DPAK
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NTD4858NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.2A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W（Ta），54.5W（Tc）
6.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45 周
¥30.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8WDFN
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NVTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
3.2W（Ta），21W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥7.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 25A ATPAK
京电港自营
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ATP112-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
25A（Ta）
4V，10V
-
33.5nC @ 10V
1450pF @ 20V
40W（Tc）
43 毫欧 @ 13A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥13.26
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 40A 8WDFN
京电港自营
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NVTFS5811NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
16A（Ta）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
30nC @ 10V
1570pF @ 25V
3.2W（Ta），21W（Tc）
6.7 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周

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