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不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥9.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59
京电港自营
自营
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DMN3070SSN-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
±20V
-
780mW（Ta）
40 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
含铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥16.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 40A DPAK
京电港自营
自营
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NVD6824NLT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.5A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
66nC @ 10V
3468pF @ 25V
3.9W（Ta），90W（Tc）
20 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMN2011UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W（Ta）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
京电港自营
自营
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DMT3020LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
±20V
-
700mW（Ta）, 1.8W（Tc）
17 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 13A SGL DPAK
京电港自营
自营
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NTD4904NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
41nC @ 10V
3052pF @ 15V
1.4W（Ta），52W（Tc）
3.7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
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DMN65D8LQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO
京电港自营
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DMP3085LSS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
563pF @ 25V
±20V
-
1.3W（Ta）
70 毫欧 @ 5.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.361A SOT883
京电港自营
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NTNS3166NZT5G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-883（XDFN3）（1x0.6）
SC-101，SOT-883
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
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DMN2005LP4K-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4V
900mV @ 100µA
-
41pF @ 3V
±10V
-
400mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥25.17
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
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NTMFS5C430NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
35A（Ta），185A（Tc）
10V
3.5V @ 250µA
10nC @ 10V
3300pF @ 25V
3.8W（Ta）, 106W（Tc）
1.7 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.62
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
京电港自营
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MCH3374-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4V
-
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.33
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI
京电港自营
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DMN3008SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
86nC @ 10V
3690pF @ 10V
±20V
-
900mW（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.32
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 0.154A SC75-3
京电港自营
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NVTA7002NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
154mA（Tj）
2.5V，4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW（Tj）
7 欧姆 @ 154mA，4.5V
表面贴装
SC-75
SC-75，SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥2.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4A SC59
京电港自营
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DMG3407SSN-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
16nC @ 10V
700pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
50 毫欧 @ 4.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥1.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.115A
京电港自营
自营
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DMN33D8LT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1.5V @ 100µA
0.55nC @ 10V
48pF @ 5V
±20V
-
240mW（Ta）
5 欧姆 @ 10mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.91
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT23
京电港自营
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NTR4501NST1G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥10.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
京电港自营
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DMP1100UCB4-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.3V，4.5V
800mV @ 250µA
14nC @ 4.5V
820pF @ 6V
±8V
-
670mW（Ta）
83 毫欧 @ 3A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-WLB0808-4
4-UFBGA，WLBGA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥17.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
京电港自营
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ZVN2106A
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 18V
±20V
-
700mW（Ta）
2 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
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DMP3026SFDF-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
19.6nC @ 10V
1204pF @ 15V
±25V
-
2W（Ta）
19 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
京电港自营
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DMS3012SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
14.7nC @ 10V
4310pF @ 15V
±20V
肖特基二极管（体）
890mW（Ta）
10 毫欧 @ 13.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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