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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 200V 0.5A CPH3
京电港自营
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CPH3459-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.4nC @ 10V
90pF @ 20V
1W（Ta）
3.7 欧姆 @ 250mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
京电港自营
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DMG4812SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
18.5nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.54W（Ta）
15 毫欧 @ 10.7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
京电港自营
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DMN10H099SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
34W（Tc）
80 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥9.48
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N CH 20V 2.8A SOT323
京电港自营
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DMN2065UW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
5.4nC @ 4.5V
400pF @ 10V
±12V
-
430mW（Ta）
56 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥16.47
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 8A U8FL
京电港自营
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NVTFS5124PLTAG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.4A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
6nC @ 10V
250pF @ 25V
3W（Ta），18W（Tc）
260 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥34.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 100A ATPAK
京电港自营
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ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4.5V，10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W（Tc）
6.5 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
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BSS84WQ-7-F
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
10 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.18
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.5A SOT563
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SCH1433-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW（Ta）
64 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8
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DMN3016LPS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
1.18W（Ta）
12 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 7.5A ECH8
京电港自营
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ECH8315-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
18nC @ 10V
875pF @ 10V
1.5W（Ta）
25 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
京电港自营
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DMT6008LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
50.4nC @ 10V
2713pF @ 30V
±12V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
7.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
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ZXMP3A16N8TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
29.6nC @ 10V
1022pF @ 15V
±20V
-
1.9W（Ta）
40 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
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DMN53D0L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
46pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.49
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
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DMN3023L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.8V @ 250µA
18.4nC @ 10V
873pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A CHIPFET
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NTHD3101FT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Tj）
1.8V，4.5V
1.5V @ 250µA
7.4nC @ 4.5V
680pF @ 10V
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 3.2A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥4.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
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DMT6016LFDF-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
820mW（Ta）
16 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A
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DMN10H099SFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
980mW（Ta）
80 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥9.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 14.5A DPAK
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NTD4804NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
14.5A（Ta），124A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
40nC @ 4.5V
4490pF @ 12V
1.43W（Ta），107W（Tc）
4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥24.09
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 61A DPAK
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NVD5117PLT4G-VF01
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），61A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
85nC @ 10V
4800pF @ 25V
4.1W（Ta），118W（Tc）
16 毫欧 @ 29A，10V
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥1.95
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 100MA 3CP
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5LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.57nC @ 10V
6.6pF @ 10V
250mW（Ta）
7.8 欧姆 @ 50mA，4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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