|
|
NTR5103NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
260mA（Ta） |
4.5V，10V |
2.6V @ 250µA |
0.81nC @ 5V |
40pF @ 25V |
|
|
300mW（Ta） |
2.5 欧姆 @ 240mA，10V |
|
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
DMP3050LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
10.5nC @ 10V |
620pF @ 15V |
±25V |
- |
1.7W（Ta） |
45 毫欧 @ 6A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMT10H010LCT |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
71nC @ 10V |
3000pF @ 50V |
±20V |
- |
2W（Ta）, 139W（Tc） |
9.5 毫欧 @ 13A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
通孔 |
TO-220AB |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NDTL01N60ZT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
250mA（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
4.9nC @ 10V |
92pF @ 25V |
|
|
2W（Tc） |
15 欧姆 @ 400mA，10V |
|
表面贴装 |
SOT-223（TO-261） |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD4809NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.6A（Ta），58A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
25nC @ 11.5V |
1456pF @ 12V |
|
|
1.4W（Ta），52W（Tc） |
9 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
ZXMN20B28KTC |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
5V，10V |
2.5V @ 250µA |
8.1nC @ 5V |
358pF @ 25V |
±20V |
- |
2.2W（Ta） |
750 毫欧 @ 2.75A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN33D8LT-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4V |
1.5V @ 100µA |
0.55nC @ 10V |
48pF @ 5V |
±20V |
- |
240mW（Ta） |
5 欧姆 @ 10mA，4V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-523 |
SOT-523 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTR4501NST1G |
- |
- |
- |
- |
|
- |
- |
- |
|
|
- |
- |
|
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
DMP1100UCB4-7 |
|
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.3V，4.5V |
800mV @ 250µA |
14nC @ 4.5V |
820pF @ 6V |
±8V |
- |
670mW（Ta） |
83 毫欧 @ 3A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-WLB0808-4 |
4-UFBGA，WLBGA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
ZVN2106A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
2.4V @ 1mA |
- |
75pF @ 18V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
2 欧姆 @ 1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP3098LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
7.8nC @ 10V |
336pF @ 25V |
±20V |
- |
2.5W（Ta） |
65 毫欧 @ 5.3A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SOP |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMG7401SFGQ-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，20V |
3V @ 250µA |
58nC @ 10V |
2987pF @ 15V |
±25V |
- |
940mW（Ta） |
11 毫欧 @ 12A，20V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP4015SK3-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
47.5nC @ 5V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
3.5W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252，（D-Pak） |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTR4003NT3G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
500mA（Ta） |
2.5V，4V |
1.4V @ 250µA |
1.15nC @ 5V |
21pF @ 5V |
|
|
690mW（Ta） |
1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
|
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
DMP21D5UFD-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.2V，4.5V |
1V @ 250µA |
800nC @ 8V |
46.1pF @ 10V |
±8V |
- |
400mW（Ta） |
1 옴 @ 100mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X1-DFN1212-3 |
3-UDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
SCH1430-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2A（Ta） |
1.8V，4.5V |
- |
1.8nC @ 4.5V |
128pF @ 10V |
|
|
800mW（Ta） |
125 毫欧 @ 1A，4.5V |
|
表面贴装 |
6-SCH |
SOT-563，SOT-666 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMTH6010SK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
38.1nC @ 10V |
2841pF @ 30V |
±20V |
- |
3.1W（Ta） |
8 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTMFS5C426NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
41A（Ta）, 235A（Tc） |
10V |
3.5V @ 250µA |
13nC @ 10V |
4300pF @ 25V |
|
|
3.8W（Ta）, 128W（Tc） |
1.3 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
CPH3462-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
3.4nC @ 10V |
155pF @ 20V |
|
|
1W（Ta） |
785 毫欧 @ 1A，10V |
|
表面贴装 |
3-CPH |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTNS3A91PZT5G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
223mA（Ta） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
1.1nC @ 4.5V |
41pF @ 15V |
|
|
121mW（Ta） |
1.6 欧姆 @ 100mA，4.5V |
|
表面贴装 |
3-XLLGA（0.62x0.62） |
3-XFLGA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
