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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2301U-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
608pF @ 6V
±8V
-
800mW（Ta）
130 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 3A SCH6
京电港自营
自营
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SCH1435-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4.5V
-
3.5nC @ 4.5V
265pF @ 10V
800mW（Ta）
89 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.6A SOT-23-3
京电港自营
自营
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MVGSF1N03LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
140pF @ 5V
420mW（Ta）
100 毫欧 @ 1.2A，10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.61
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
京电港自营
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NTMS4801NR2G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.5A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
25nC @ 10V
2201pF @ 25V
800mW（Ta）
9 毫欧 @ 12A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥20.13
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 91A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4923NET1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12.7A（Ta），91A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 250µA
22nC @ 4.5V
4850pF @ 15V
930mW（Ta），48W（Tc）
3.3 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.13
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.34A
京电港自营
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DMN62D0UW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
京电港自营
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DMP2066LSN-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
10.1nC @ 4.5V
820pF @ 15V
±12V
-
1.25W（Ta）
40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
京电港自营
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DMN2046U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
292pF @ 10V
±12V
-
760mW（Ta）
72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.70
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23
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DMP3056L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
11.8nC @ 10V
642pF @ 25V
±25V
-
1.38W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CHA 60V 720MW SOT23
京电港自营
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DMP6350S-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
4.1nC @ 10V
206pF @ 30V
±20V
-
720mW（Ta）
350 毫欧 @ 900mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥5.01
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 6A MCPH6
京电港自营
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MCH6436-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W（Ta）
34 毫欧 @ 3A，4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
京电港自营
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DMN4034SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
453pF @ 20V
±20V
-
1.56W（Ta）
34 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V TO220AB
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DMT10H010LCT
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta）, 139W（Tc）
9.5 毫欧 @ 13A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN
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DMN6070SFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4V，10V
3V @ 250µA
12.3nC @ 10V
606pF @ 20V
±20V
-
600mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A SOT563
京电港自营
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SCH1332-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
95 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
京电港自营
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BSS127S-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
4.5V @ 250µA
1.08nC @ 10V
21.8pF @ 25V
±20V
-
610mW（Ta）
160 欧姆 @ 16mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
京电港自营
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DMP1045UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
23.7nC @ 8V
1291pF @ 10V
±8V
-
700mW（Ta）
32 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
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DMN2011UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W（Ta）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
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DMT3020LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
±20V
-
700mW（Ta）, 1.8W（Tc）
17 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥17.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
京电港自营
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ZVN2106A
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 18V
±20V
-
700mW（Ta）
2 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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