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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
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5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 250V 3A IPAK
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7.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A
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2.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
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14.13
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 78A SO8FL
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3.06
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
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81.63
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 75V 68A TO-220F-3SG
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4.56
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
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6.06
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 3A SOT223
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1.02
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
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11.25
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET PCH 40V 14A TO252
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2.43
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 0.3A SC70
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20.97
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
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3.39
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
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3.93
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
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5.31
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A U8FL
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7.23
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
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1.62
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A
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13.14
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 100V 32A DPAK
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2.94
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
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产品图片
产品详情
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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4.02
另提供行业标准包装
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型号
DMT3006LDK-7
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4.02
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
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DMT3006LDK-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.1W(Ta)
6.5 毫欧 @ 12A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
V-DFN3030-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
5.40
另提供行业标准包装
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型号
SFT1452-W
¥
5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 250V 3A IPAK
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SFT1452-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
10V
4.5V @ 1mA
4.2nC @ 10V
210pF @ 20V
1W(Ta), 26W(Tc)
2.4 欧姆 @ 1.5A,10V
通孔
IPAK/TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
7.53
另提供行业标准包装
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型号
DMT3008LFDF-7
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7.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A
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DMT3008LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
14nC @ 10V
886pF @ 15V
±20V
-
800mW(Ta)
10 毫欧 @ 9A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
2.01
另提供行业标准包装
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型号
DMP2160UW-7
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2.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
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DMP2160UW-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
900mV @ 250µA
-
627pF @ 10V
±12V
-
350mW(Ta)
100 毫欧 @ 1.5A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
14.13
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4C55NT1G
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14.13
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 78A SO8FL
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NTMFS4C55NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11.9A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
30nC @ 10V
1972pF @ 15V
-
3.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
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3.06
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型号
ZXMN2B01FTA
¥
3.06
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
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ZXMN2B01FTA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
4.8nC @ 4.5V
370pF @ 10V
±8V
-
625mW(Ta)
100 毫欧 @ 2.4A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
81.63
另提供行业标准包装
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型号
BMS3004-1E
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81.63
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 75V 68A TO-220F-3SG
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BMS3004-1E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
68A(Ta)
4V,10V
-
300nC @ 10V
13400pF @ 20V
2W(Ta),40W(Tc)
8.5 毫欧 @ 34A,10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
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4.56
另提供行业标准包装
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型号
NTTFS4930NTAG
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4.56
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
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NTTFS4930NTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta),23A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 15V
790mW(Ta),20.2W(Tc)
23 毫欧 @ 6A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
6.06
另提供行业标准包装
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型号
NTF3055L108T1G
¥
6.06
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 3A SOT223
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NTF3055L108T1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
5V
2V @ 250µA
15nC @ 5V
440pF @ 25V
1.3W(Ta)
120 毫欧 @ 1.5A,5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥
1.02
另提供行业标准包装
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型号
DMN61D9UW-13
¥
1.02
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
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DMN61D9UW-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
320mW(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
11.25
另提供行业标准包装
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型号
DMPH4015SK3Q-13
¥
11.25
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET PCH 40V 14A TO252
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DMPH4015SK3Q-13
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
91nC @ 10V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.7W(Ta)
11 毫欧 @ 9.8A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
2.43
另提供行业标准包装
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型号
NVF2201NT1G
¥
2.43
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 0.3A SC70
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NVF2201NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
150mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
20.97
另提供行业标准包装
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型号
ZXMN3A03E6TA
¥
20.97
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
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ZXMN3A03E6TA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
12.6nC @ 10V
600pF @ 25V
±20V
-
1.1W(Ta)
50 毫欧 @ 7.8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
3.39
另提供行业标准包装
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型号
DMN65D8LW-7
¥
3.39
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323
京电港自营
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DMN65D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
300mW(Ta)
3 欧姆 @ 115mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
3.93
另提供行业标准包装
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型号
DMP2040UFDF-7
¥
3.93
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
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DMP2040UFDF-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
19nC @ 8V
834pF @ 10V
±12V
-
1.8W(Ta)
32 毫欧 @ 8.9A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥
5.31
另提供行业标准包装
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型号
NTTFS4C13NTWG
¥
5.31
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A U8FL
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NTTFS4C13NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.2A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 4.5V
770pF @ 15V
780mW(Ta),21.5W(Tc)
9.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
7.23
另提供行业标准包装
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型号
DMN7022LFG-7
¥
7.23
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 75V 7.8A PWDI3333-8
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DMN7022LFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
56.5nC @ 10V
2737pF @ 35V
±20V
-
900mW(Ta)
22 毫欧 @ 7.2A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
1.62
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMN61D9U-7
¥
1.62
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A
京电港自营
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对比
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DMN61D9U-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
370mW(Ta)
2 欧姆 @ 50mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥
13.14
另提供行业标准包装
立即购买
型号
NTD6414ANT4G
¥
13.14
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 100V 32A DPAK
京电港自营
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NTD6414ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
32A(Tc)
10V
4V @ 250µA
40nC @ 10V
1450pF @ 25V
100W(Tc)
37 毫欧 @ 32A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥
2.94
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMN2075UDW-7
¥
2.94
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
京电港自营
自营
对比
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DMN2075UDW-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
7nC @ 4.5V
594.3pF @ 10V
±8V
-
500mW(Ta)
48 毫欧 @ 3A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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