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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥6.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8DFN
京电港自营
自营
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NTTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），37A（Tc）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
2.7W（Ta），33W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥2.19
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
京电港自营
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DMN3067LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
4.6nC @ 4.5V
447pF @ 10V
±12V
-
500mW（Ta）
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.18
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 44A U8FL
京电港自营
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NTTFS4C10NTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.2A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
18.6nC @ 10V
993pF @ 15V
790mW（Ta）, 23.6W（Tc）
7.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥11.70
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 16A WDFN8
京电港自营
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NTTFS5C670NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
16A（Ta），70A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 53µA
20nC @ 10V
1400pF @ 25V
3.2W（Ta），63W（Tc）
6.5 毫欧 @ 35A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥22.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 500V TO-220FP
京电港自营
自营
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NDF05N50ZG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5.5A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
28nC @ 10V
632pF @ 25V
30W（Tc）
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
京电港自营
自营
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DMN66D0LT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
5 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C09NAT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），52A（Tc）
2.1V @ 250µA
1.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥7.35
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
京电港自营
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ZXMP6A13GTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.9nC @ 10V
219pF @ 30V
±20V
-
2W（Ta）
390 毫欧 @ 900mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
京电港自营
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DMG2305UX-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
10.2nC @ 4.5V
808pF @ 15V
±8V
-
1.4W（Ta）
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥2.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
京电港自营
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DMN601TK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
150mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.51
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 750MA SOT-23-3
京电港自营
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MVGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
750mA（Ta）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW（Ta）
90 毫欧 @ 1.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥13.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
京电港自营
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ZXMP10A18KTC
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
26.9nC @ 10V
1055pF @ 50V
±20V
-
2.17W（Ta）
150 毫欧 @ 2.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥55.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 49A SO8FL
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NVMFS5C404NLWFT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
49A（Ta），352A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 250µA
181nC @ 10V
12168pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
0.75 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
京电港自营
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DMN3110S-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
305.8pF @ 15V
±20V
-
740mW（Ta）
73 毫欧 @ 3.1mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥6.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11.6A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4936NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.6A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
43nC @ 10V
3044pF @ 15V
920mW（Ta），43W（Tc）
3.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
京电港自营
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ZXMN10A25K
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
17.16nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
京电港自营
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DMP58D0LFB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，5V
2.1V @ 250µA
-
27pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
8 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO
京电港自营
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DMP2038USS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
14.4nC @ 4.5V
1496pF @ 15V
±8V
-
2.5W（Ta）
38 毫欧 @ 5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
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DMN3030LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
17.4nC @ 10V
751pF @ 10V
±25V
-
900mW（Ta）
18 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥23.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T
京电港自营
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DMG4N60SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4.5V @ 250µA
14.3nC @ 10V
532pF @ 25V
±30V
-
48W（Ta）
2.3 欧姆 @ 2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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