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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥8.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 8.5A POWER
京电港自营
自营
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DMP4015SPSQ-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.3W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥9.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT323
京电港自营
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DMP32D4SW-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
1.2nC @ 10V
51.16pF @ 15V
±20V
-
300mW（Ta）
2.4 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥16.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
京电港自营
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DMN2005UFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
164nC @ 10V
6495pF @ 10V
±12V
-
1.05W（Ta）
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥0.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
京电港自营
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DMN67D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 8A 20V MCPH3
京电港自营
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MCH3376-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.33
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3477-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
京电港自营
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DMN3052LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.2V @ 250µA
-
555pF @ 5V
±12V
-
2.5W（Ta）
30 毫欧 @ 7.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
京电港自营
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ZVN2110ASTZ
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
4 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.97
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
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BSS123TA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
±20V
-
360mW（Ta）
6 欧姆 @ 100mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥27.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 42A D2PAK
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NTB6413ANT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
42A（Tc）
10V
4V @ 250µA
51nC @ 10V
1800pF @ 25V
136W（Tc）
28 毫欧 @ 42A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥1.50
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
京电港自营
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BSS123WQ-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 170mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
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DMP2123L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.25V @ 250µA
7.3nC @ 4.5V
443pF @ 16V
±12V
-
1.4W（Ta）
72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
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NTLJF4156NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tj）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW（Ta）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥5.49
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 11.2A DPAK
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NTD4858NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.2A（Ta），73A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W（Ta），54.5W（Tc）
6.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45 周
¥7.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 25A ATPAK
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ATP112-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
25A（Ta）
4V，10V
-
33.5nC @ 10V
1450pF @ 20V
40W（Tc）
43 毫欧 @ 13A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.3A U-DFN
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DMN6040SFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
660mW（Ta）
38 毫欧 @ 4.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
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DMN67D8LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.31
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.6A SOT23-3
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NTR3C21NZT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.6A（Ta）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
17.8nC @ 4.5V
1540pF @ 16V
470mW（Ta）
24 毫欧 @ 5A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 250V 0.35A CPH3
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CPH3461-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
350mA（Ta）
2.5V，4.5V
1.3V @ 1mA
2.1nC @ 4.5V
140pF @ 20V
1W（Ta）
6.5 欧姆 @ 170mA，4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥4.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
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DMN6068LK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10.3nC @ 10V
502pF @ 30V
±20V
-
2.12W（Ta）
68 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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