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不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥13.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
京电港自营
自营
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DMN2020UFCL-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
900mV @ 250µA
21.5nC @ 4.5V
1788pF @ 10V
±10V
-
610mW（Ta）
14 毫欧 @ 9A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1616-6（E 类）
6-PowerUFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥43.98
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 76A D2PAK
京电港自营
自营
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NTB6410ANT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
76A（Tc）
10V
4V @ 250µA
120nC @ 10V
4500pF @ 25V
188W（Tc）
13 毫欧 @ 76A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
京电港自营
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DMN67D8L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
340mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
京电港自营
自营
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DMN62D0LFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4V
1V @ 250µA
0.45nC @ 4.5V
32pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-X1DFN1006
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A SC88
京电港自营
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NVJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1.2W（Ta）
67 毫欧 @ 2.9A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥4.32
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11A SO8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4C250NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），69A（Tc）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
2.6nC @ 4.5V
1683pF @ 15V
770mW（Ta）
4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥5.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 23A DPAK
京电港自营
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NVD5807NT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
23A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
20nC @ 10V
603pF @ 25V
33W（Tc）
31 毫欧 @ 5A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥8.79
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 300MA SC70-3
京电港自营
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DMN601WK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥10.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 12A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4835NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），130A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
52nC @ 11.5V
3100pF @ 12V
890mW（Ta），62.5W（Tc）
3.5 毫欧 @ 30A， 10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥18.51
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
京电港自营
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ZXMN6A08GTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
80 毫欧 @ 4.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.44
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SC70-3
京电港自营
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2V7002WT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
310mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥2.79
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 50V 0.07A MCP3
京电港自营
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5HP01M-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
70mA（Ta）
4V，10V
-
1.32nC @ 10V
6.2pF @ 10V
150mW（Ta）
22 欧姆 @ 40mA，10V
表面贴装
3-MCP
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.81
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
京电港自营
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DMS3015SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
30.6nC @ 10V
1276pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.55W（Ta）
11.9 毫欧 @ 11A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN3A01FTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
120 毫欧 @ 2.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.13
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI
京电港自营
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DMN3010LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
37nC @ 10V
2075pF @ 15V
±20V
-
900mW（Ta）
8.5 毫欧 @ 18A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3
京电港自营
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ZVP3310FTA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
3.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
330mW（Ta）
20 欧姆 @ 150mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6
京电港自营
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DMN2028UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
18nC @ 8V
907pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
25 毫欧 @ 4A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥33.45
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH
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DMTH6004SCTB-13
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
4.7W（Ta）, 136W（Tc）
3.4 毫欧 @ 100A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-263AB
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
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DI9400T
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.8V @ 250µA
25nC @ 10V
350pF @ 10V
±20V
-
1W（Ta）
130 毫欧 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SMD，鸥翼型
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3418L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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