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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.8A SCH6
京电港自营
自营
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SCH1436-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
4V，10V
-
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW（Ta）
180 毫欧 @ 900mA，10V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.55
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
京电港自营
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ZXMP4A57E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
15.8nC @ 10V
833pF @ 20V
±20V
-
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP2007UFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 4.5A SOT89
京电港自营
自营
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PCP1403-TD-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
6.7nC @ 10V
310pF @ 20V
3.5W（Tc）
117 毫欧 @ 2A，10V
表面贴装
SOT-89/PCP-1
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
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DMG2301L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 10V
±8V
-
1.5W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥32.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 10A
京电港自营
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DMT10H015LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3.5V @ 250µA
33.3nC @ 10V
1871pF @ 50V
±20V
-
2W（Ta），35W（Tc）
13.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
京电港自营
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DMN3053L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
17.2nC @ 10V
676pF @ 15V
±12V
-
760mW（Ta）
45 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
京电港自营
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DMN3110S-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
305.8pF @ 15V
±20V
-
740mW（Ta）
73 毫欧 @ 3.1mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.81
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
京电港自营
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NTRV4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW（Ta）
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥6.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11.6A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4936NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.6A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
43nC @ 10V
3044pF @ 15V
920mW（Ta），43W（Tc）
3.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥9.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 50A TO252
京电港自营
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DMNH4011SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1405pF @ 20V
±20V
-
2.6W（Ta）
10 毫欧 @ 50A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
京电港自营
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ZXMN10A25K
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
17.16nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥15.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 95A ATPAK
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ATP404-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
95A（Ta）
4.5V，10V
-
120nC @ 10V
6400pF @ 20V
70W（Tc）
7.2 毫欧 @ 48A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
京电港自营
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DMP58D0LFB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，5V
2.1V @ 250µA
-
27pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
8 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
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DMT3006LDK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
6.5 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
V-DFN3030-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.21
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SO
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DMP2038USS-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
14.4nC @ 4.5V
1496pF @ 15V
±8V
-
2.5W（Ta）
38 毫欧 @ 5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 250V 3A IPAK
京电港自营
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SFT1452-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
10V
4.5V @ 1mA
4.2nC @ 10V
210pF @ 20V
1W（Ta）, 26W（Tc）
2.4 欧姆 @ 1.5A，10V
通孔
IPAK/TP
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 12A
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DMT3008LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
14nC @ 10V
886pF @ 15V
±20V
-
800mW（Ta）
10 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V PWRDI3333-8
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DMN3030LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
17.4nC @ 10V
751pF @ 10V
±25V
-
900mW（Ta）
18 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V SOT-23-3
京电港自营
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NVR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23（TO-236AB）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周

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