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FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
DMN601WK-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
±20V
-
200mW(Ta)
2 欧姆 @ 500mA,10V
-65°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN63D1LW-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
310mW(Ta)
2 欧姆 @ 500mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMP2215L-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.25V @ 250µA
5.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
±12V
-
1.08W(Ta)
100 毫欧 @ 2.7A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN2100UDM-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
-
555pF @ 10V
±8V
-
1W(Ta)
55 毫欧 @ 6A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.70
自营
NTTFS5C670NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta),70A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 53µA
20nC @ 10V
1400pF @ 25V
3.2W(Ta),63W(Tc)
6.5 毫欧 @ 35A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥22.56
自营
NDF05N50ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.5A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
28nC @ 10V
632pF @ 25V
30W(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
DMN66D0LT-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
±20V
-
200mW(Ta)
5 欧姆 @ 115mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.40
自营
NTMFS4C09NAT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),52A(Tc)
2.1V @ 250µA
1.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
ZXMP6A13GTA
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
5.9nC @ 10V
219pF @ 30V
±20V
-
2W(Ta)
390 毫欧 @ 900mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN67D8LW-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW(Ta)
5 欧姆 @ 500mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
NTR3C21NZT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.6A(Ta)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
17.8nC @ 4.5V
1540pF @ 16V
470mW(Ta)
24 毫欧 @ 5A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.24
自营
CPH3461-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
350mA(Ta)
2.5V,4.5V
1.3V @ 1mA
2.1nC @ 4.5V
140pF @ 20V
1W(Ta)
6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
ZXMP10A18KTC
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6V,10V
4V @ 250µA
26.9nC @ 10V
1055pF @ 50V
±20V
-
2.17W(Ta)
150 毫欧 @ 2.8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥55.56
自营
NVMFS5C404NLWFT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
49A(Ta),352A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 250µA
181nC @ 10V
12168pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
0.75 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
DMN3033LSNQ-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
10.5nC @ 5V
755pF @ 10V
±20V
-
1.4W(Ta)
30 毫欧 @ 6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SC-59
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN2005UFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
164nC @ 10V
6495pF @ 10V
±12V
-
1.05W(Ta)
4.6 毫欧 @ 13.5A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN313DLT-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
36.3pF @ 5V
±20V
-
280mW(Ta)
2 欧姆 @ 10mA,4V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMN2114SN-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.4V @ 1mA
-
180pF @ 10V
±12V
-
500mW(Ta)
100 毫欧 @ 500mA,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
DMN4020LFDE-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
19.1nC @ 20V
1060pF @ 20V
±20V
-
660mW(Ta)
20 毫欧 @ 8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
U-DFN2020-6(E 类)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
DMP3010LPS-13
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
126.2nC @ 10V
6234pF @ 15V
±20V
-
2.18W(Ta)
7.5 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
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