|
|
ZVN4424GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，10V |
1.8V @ 1mA |
- |
200pF @ 25V |
±40V |
- |
2.5W（Ta） |
5.5 欧姆 @ 500mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP2123LQ-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.25V @ 250µA |
7.3nC @ 4.5V |
443pF @ 16V |
±12V |
- |
1.4W（Ta） |
72 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMP3008SFG-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
47nC @ 10V |
2230pF @ 15V |
±20V |
- |
900mW（Ta） |
17 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN2028UFDF-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
18nC @ 8V |
907pF @ 10V |
±8V |
- |
660mW（Ta） |
25 毫欧 @ 4A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
U-DFN2020-6 (Type F) |
6-UDFN 裸露焊盘 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
PCP1403-TD-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
6.7nC @ 10V |
310pF @ 20V |
|
|
3.5W（Tc） |
117 毫欧 @ 2A，10V |
|
表面贴装 |
SOT-89/PCP-1 |
TO-243AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
ZXMP4A16KTC |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
29.6nC @ 10V |
965pF @ 20V |
±20V |
- |
2.15W（Ta） |
60 毫欧 @ 3.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTMFS4845NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
13.7A（Ta），115A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
62nC @ 11.5V |
3720pF @ 12V |
|
|
890mW（Ta），62.5W（Tc） |
2.9 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
DMTH8012LPSQ-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
46.8nC @ 10V |
2051pF @ 40V |
±20V |
- |
2.6W（Ta）, 136W（Tc） |
17 毫欧 @ 12A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP3008SFGQ-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
47nC @ 10V |
2230pF @ 15V |
±20V |
- |
900mW（Ta） |
17 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
SFT1445-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
19nC @ 10V |
1030pF @ 20V |
|
|
1W（Ta），35W（Tc） |
111 毫欧 @ 8.5A，10V |
|
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
DMNH6012LK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
35.2nC @ 10V |
1926pF @ 30V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
12 毫欧 @ 25A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
ZXMP3A16N8TA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
29.6nC @ 10V |
1022pF @ 15V |
±20V |
- |
1.9W（Ta） |
40 毫欧 @ 4.2A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTTFS5C453NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
23A（Ta），107A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 63µA |
35nC @ 10V |
2100pF @ 25V |
|
|
3.3W（Ta）, 68W（Tc） |
3 毫欧 @ 40A，10V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTTFS3A08PZTAG |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9A（Ta） |
2.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
56nC @ 4.5V |
5000pF @ 10V |
|
|
840mW（Ta） |
6.7 毫欧 @ 12A，4.5V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
35 周 |
|
|
DMP3050LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
10.5nC @ 10V |
620pF @ 15V |
±25V |
- |
1.7W（Ta） |
45 毫欧 @ 6A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMP1022UFDF-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.5V，4.5V |
800mV @ 250µA |
48.3nC @ 8V |
2712pF @ 10V |
±8V |
- |
730mW（Ta） |
15.3 毫欧 @ 4A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
U-DFN2020-6 (Type F) |
6-UDFN 裸露焊盘 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN3320ASTOA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
3V @ 1mA |
- |
45pF @ 25V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
25 欧姆 @ 100mA，10V |
- |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTD6414ANT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
32A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
40nC @ 10V |
1450pF @ 25V |
|
|
100W（Tc） |
37 毫欧 @ 32A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
|
NVTFS5811NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
30nC @ 10V |
1570pF @ 25V |
|
|
3.2W（Ta），21W（Tc） |
6.7 毫欧 @ 20A，10V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
31 周 |
|
|
DMN2020UFCL-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.8V，4.5V |
900mV @ 250µA |
21.5nC @ 4.5V |
1788pF @ 10V |
±10V |
- |
610mW（Ta） |
14 毫欧 @ 9A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X1-DFN1616-6（E 类） |
6-PowerUFDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
