|
|
NTD24N06T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
24A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
48nC @ 10V |
1200pF @ 25V |
|
|
1.36W（Ta），62.5W（Tj） |
42 毫欧 @ 10A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMP6023LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
53.1nC @ 10V |
2569pF @ 30V |
±20V |
- |
1.2W（Ta） |
25 毫欧 @ 5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
ZXMN4A06GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
18.2nC @ 10V |
770pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
50 毫欧 @ 4.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN3A03E6TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
12.6nC @ 10V |
600pF @ 25V |
±20V |
- |
1.1W（Ta） |
50 毫欧 @ 7.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-6 |
SOT-23-6 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP4015SPS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
47.5nC @ 5V |
4234pF @ 20V |
±25V |
- |
1.3W（Ta） |
11 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMT6009LCT |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
33.5nC @ 10V |
1925pF @ 30V |
±16V |
- |
2.2W（Ta）, 25W（Tc） |
12 毫欧 @ 13.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-220AB |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTB45N06T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
46nC @ 10V |
1725pF @ 25V |
|
|
2.4W（Ta），125W（Tj） |
26 毫欧 @ 22.5A，10V |
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
ZXMP7A17GQTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
18nC @ 10V |
635pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
160 毫欧 @ 2.1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
SFT1446-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
20A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
16nC @ 10V |
750pF @ 20V |
|
|
1W（Ta），23W（Tc） |
51 毫欧 @ 10A，10V |
|
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMTH4007SPS-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
41.9nC @ 10V |
2082pF @ 25V |
±20V |
- |
2.8W（Ta）, 136W（Tc） |
7.6 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NDF04N60ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.8A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
29nC @ 10V |
640pF @ 25V |
|
|
30W（Tc） |
2 欧姆 @ 2A，10V |
|
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
DMNH6042SK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
|
3V @ 250µA |
8.8nC @ 10V |
584pF @ 25V |
|
- |
2W（Ta） |
50 毫欧 @ 6A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NDF05N50ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.5A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
28nC @ 10V |
632pF @ 25V |
|
|
30W（Tc） |
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V |
|
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTMFS4934NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17.1A（Ta），147A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
34nC @ 4.5V |
5505pF @ 15V |
|
|
930mW（Ta），69.44W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
DMTH4004SCTB-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
68.6nC @ 10V |
4305pF @ 25V |
±20V |
- |
4.7W（Ta）, 136W（Tc） |
3 毫欧 @ 100A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-263AB |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMP2002UPS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，10V |
1.4V @ 250µA |
585nC @ 10V |
12826pF @ 10V |
±12V |
- |
2.3W（Ta） |
1.9 毫欧 @ 25A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTB25P06T4G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
27.5A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
50nC @ 10V |
1680pF @ 25V |
|
|
120W（Tj） |
82 毫欧 @ 25A，10V |
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
ZXMN2A02X8TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
700mV @ 250µA |
18.6nC @ 4.5V |
1900pF @ 10V |
±20V |
- |
1.1W（Ta） |
20 毫欧 @ 11A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
|
8-MSOP |
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMG4N60SK3-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4.5V @ 250µA |
14.3nC @ 10V |
532pF @ 25V |
±30V |
- |
48W（Ta） |
2.3 欧姆 @ 2A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTB45N06LT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
32nC @ 5V |
1700pF @ 25V |
|
|
2.4W（Ta），125W（Tj） |
28 毫欧 @ 22.5A，5V |
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
