|
|
ZXMP3A13FTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
6.4nC @ 10V |
206pF @ 15V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
210 毫欧 @ 1.4A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXM61P03FTA |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
4.8nC @ 10V |
140pF @ 25V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
350 毫欧 @ 600mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN61D8L-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
3V，5V |
2V @ 1mA |
0.74nC @ 5V |
12.9pF @ 12V |
±12V |
- |
390mW（Ta） |
1.8 欧姆 @ 150mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
SFT1345-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta） |
4V，10V |
- |
21nC @ 10V |
1020pF @ 20V |
|
|
1W（Ta），35W（Tc） |
275 毫欧 @ 5.5A，10V |
|
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTD4815N-35G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6.9A（Ta），35A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
14.1nC @ 11.5V |
770pF @ 12V |
|
|
1.26W（Ta），32.6W（Tc） |
15 毫欧 @ 30A，10V |
|
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短截引线，IPak |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
ZXMP10A18KTC |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
6V，10V |
4V @ 250µA |
26.9nC @ 10V |
1055pF @ 50V |
±20V |
- |
2.17W（Ta） |
150 毫欧 @ 2.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
SFT1342-TL-W |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Ta） |
4V，10V |
- |
26nC @ 10V |
1150pF @ 20V |
|
|
1W（Ta），15W（Tc） |
62 毫欧 @ 6A，10V |
|
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMP2066LSN-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
10.1nC @ 4.5V |
820pF @ 15V |
±12V |
- |
1.25W（Ta） |
40 毫欧 @ 4.6A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SC-59-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMP6110SSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
19.4nC @ 10V |
1030pF @ 30V |
±20V |
- |
1.5W（Ta） |
110 毫欧 @ 4.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMT6016LSS-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
17nC @ 10V |
864pF @ 30V |
±20V |
- |
1.5W（Ta） |
18 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
BS107P |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.6V，5V |
- |
- |
- |
±20V |
- |
500mW（Ta） |
30 欧姆 @ 100mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN13H750S-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
6V，10V |
4V @ 250µA |
5.6nC @ 10V |
231pF @ 25V |
±20V |
- |
770mW（Ta） |
750 毫欧 @ 2A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN24H3D5L-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
3.3V，10V |
2.5V @ 250µA |
6.6nC @ 10V |
188pF @ 25V |
±20V |
- |
760mW（Ta） |
3.5 欧姆 @ 300mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTMFS4C55NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11.9A（Ta），78A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
30nC @ 10V |
1972pF @ 15V |
|
|
- |
3.4 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
|
NTD4858N-35G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11.2A（Ta），73A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
19.2nC @ 4.5V |
1563pF @ 12V |
|
|
1.3W（Ta），54.5W（Tc） |
6.2 毫欧 @ 30A，10V |
|
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短截引线，IPak |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
MCH3383-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.5A（Ta） |
0.9V，2.5V |
800mV @ 1mA |
6.2nC @ 2.5V |
1010pF @ 6V |
|
|
1W（Ta） |
69 毫欧 @ 1.5A，2.5V |
|
表面贴装 |
SC-70FL/MCPH3 |
3-SMD，扁平引线 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMP25H18DLFDE-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
3.5V，10V |
2.5V @ 1mA |
2.8nC @ 10V |
81pF @ 25V |
±40V |
- |
600mW（Ta） |
14 欧姆 @ 200mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
U-DFN2020-6（E 类） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMNH10H028SK3-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
3.3V @ 250µA |
36nC @ 10V |
2245pF @ 50V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
28 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252，（D-Pak） |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
|
DMG4466SSSL-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.4V @ 250µA |
17nC @ 10V |
478.9pF @ 15V |
±20V |
- |
1.42W（Ta） |
23 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
DMS3016SFG-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
44.6nC @ 10V |
1886pF @ 15V |
±12V |
肖特基二极管（体） |
980mW（Ta） |
13 毫欧 @ 11.2A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
