|
|
DMTH4004SCTBQ-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
68.6nC @ 10V |
4305pF @ 25V |
±20V |
- |
4.7W（Ta）, 136W（Tc） |
3 毫欧 @ 100A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-263AB（D²PAK） |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta），61A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
85nC @ 10V |
4800pF @ 25V |
|
|
4.1W（Ta），118W（Tc） |
16 毫欧 @ 29A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
DMTH6004SPSQ-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
95.4nC @ 10V |
4556pF @ 30V |
±20V |
- |
2.1W（Ta），167W（Tc） |
3.1 毫欧 @ 50A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NDF06N60ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.1A（Tc） |
10V |
4.5V @ 100µA |
47nC @ 10V |
1107pF @ 25V |
|
|
35W（Tc） |
1.2 欧姆 @ 3A，10V |
|
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NTMFS5C430NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
35A（Ta），185A（Tc） |
10V |
3.5V @ 250µA |
10nC @ 10V |
3300pF @ 25V |
|
|
3.8W（Ta）, 106W（Tc） |
1.7 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NVMFS6B14NLWFT1G |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta），55A（Tc） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
8nC @ 4.5V |
1680pF @ 25V |
|
|
3.8W（Ta），94W（Tc） |
13 毫欧 @ 20A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTB6413ANT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
42A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
51nC @ 10V |
1800pF @ 25V |
|
|
136W（Tc） |
28 毫欧 @ 42A，10V |
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NVTFS5820NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta） |
4.5V，10V |
2.3V @ 250µA |
28nC @ 10V |
1462pF @ 25V |
|
|
3.2W（Ta），21W（Tc） |
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NDF11N50ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Tc） |
10V |
4.5V @ 100µA |
69nC @ 10V |
1645pF @ 25V |
|
|
39W（Tc） |
520 毫欧 @ 4.5A，10V |
|
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
ZXMN10A25GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
17nC @ 10V |
859pF @ 50V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
125 毫欧 @ 2.9A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN6A09GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
3V @ 250µA |
24.2nC @ 5V |
1407pF @ 40V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
40 毫欧 @ 8.2A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTMFS5C426NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
41A（Ta）, 235A（Tc） |
10V |
3.5V @ 250µA |
13nC @ 10V |
4300pF @ 25V |
|
|
3.8W（Ta）, 128W（Tc） |
1.3 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
DMTH4007SPSQ-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
41.9nC @ 10V |
2082pF @ 25V |
±20V |
- |
2.8W（Ta）, 136W（Tc） |
7.6 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMT10H015LFG-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
6V，10V |
3.5V @ 250µA |
33.3nC @ 10V |
1871pF @ 50V |
±20V |
- |
2W（Ta），35W（Tc） |
13.5 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTD5862NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
98A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
82nC @ 10V |
6000pF @ 25V |
|
|
115W（Tc） |
5.7 毫欧 @ 45A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
DMTH6004SCTB-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
95.4nC @ 10V |
4556pF @ 30V |
±20V |
- |
4.7W（Ta）, 136W（Tc） |
3.4 毫欧 @ 100A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-263AB |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMG9N65CT |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
5V @ 250µA |
39nC @ 10V |
2310pF @ 25V |
±30V |
- |
165W（Tc） |
1.3 欧姆 @ 4.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-220AB |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
ATP304-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
100A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
250nC @ 10V |
13000pF @ 20V |
|
|
90W（Tc） |
6.5 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMNH4006SK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
4V @ 250µA |
51nC @ 10V |
2280pF @ 25V |
20V |
- |
2.2W（Ta） |
6 毫欧 @ 86A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252，（D-Pak） |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMTH4004LK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
|
3V @ 250µA |
83nC @ 10V |
4450pF @ 25V |
|
- |
3.9W（Ta）, 180W（Tc） |
3 毫欧 @ 50A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
