|
|
DMG4466SSSL-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.4V @ 250µA |
17nC @ 10V |
478.9pF @ 15V |
±20V |
- |
1.42W（Ta） |
23 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
ZVN4306GTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
5V，10V |
3V @ 1mA |
- |
350pF @ 25V |
±20V |
- |
3W（Ta） |
330 毫欧 @ 3A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP1245UFCL-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.5V，4.5V |
950mV @ 250µA |
26.1nC @ 8V |
1357.4pF @ 10V |
±8V |
- |
613mW（Ta） |
29 毫欧 @ 4A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X1-DFN1616-6（E 类） |
6-PowerUFDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN10A07ZTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
6V，10V |
4V @ 250µA |
2.9nC @ 10V |
138pF @ 50V |
±20V |
- |
1.5W（Ta） |
700 毫欧 @ 1.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-89-3 |
TO-243AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN6040SFDE-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
22.4nC @ 10V |
1287pF @ 25V |
±20V |
- |
660mW（Ta） |
38 毫欧 @ 4.3A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
U-DFN2020-6（E 类） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ATP405-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
40A（Ta） |
10V |
- |
68nC @ 10V |
4000pF @ 20V |
|
|
70W（Tc） |
33 毫欧 @ 20A，10V |
|
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
|
DMP4025SFG-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1.8V @ 250µA |
33.7nC @ 10V |
1643pF @ 20V |
±20V |
- |
810mW（Ta） |
25 毫欧 @ 3A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
SVD5867NLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
22A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
15nC @ 10V |
675pF @ 25V |
|
|
3.3W（Ta），43W（Tc） |
39 毫欧 @ 11A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
ZVP3306A |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
3.5V @ 1mA |
- |
50pF @ 18V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
14 欧姆 @ 200mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ATP404-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
95A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
120nC @ 10V |
6400pF @ 20V |
|
|
70W（Tc） |
7.2 毫欧 @ 48A，10V |
|
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMP6050SFG-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
24nC @ 10V |
1293pF @ 30V |
±20V |
- |
1.1W（Ta） |
50 毫欧 @ 5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTB5605PT4G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
18.5A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
22nC @ 5V |
1190pF @ 25V |
|
|
88W（Tc） |
140 毫欧 @ 8.5A，5V |
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
VN10LP |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
5V，10V |
2.5V @ 1mA |
- |
60pF @ 25V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
5 欧姆 @ 500mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NVTFS5124PLTAG |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.4A（Ta） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
6nC @ 10V |
250pF @ 25V |
|
|
3W（Ta），18W（Tc） |
260 毫欧 @ 3A，10V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTMFS4833NT3G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta），156A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
88nC @ 11.5V |
5600pF @ 12V |
|
|
910mW（Ta），125W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTMFS5C450NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
24A（Ta）, 102A（Tc） |
10V |
3.5V @ 65µA |
5.1nC @ 10V |
1600pF @ 25V |
|
|
3.6W（Ta）, 68W（Tc） |
3.3 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NVD6824NLT4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.5A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
66nC @ 10V |
3468pF @ 25V |
|
|
3.9W（Ta），90W（Tc） |
20 毫欧 @ 20A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
ZXMN3A01E6TA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
3.9nC @ 10V |
190pF @ 25V |
±20V |
- |
1.1W（Ta） |
120 毫欧 @ 2.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-6 |
SOT-23-6 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN2005UFG-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
164nC @ 10V |
6495pF @ 10V |
±12V |
- |
1.05W（Ta） |
4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
ATP302-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
70A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
115nC @ 10V |
5400pF @ 20V |
|
|
70W（Tc） |
13 毫欧 @ 35A，10V |
|
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
