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不同Id Vgs时的Rds On
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安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥0.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
京电港自营
自营
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NTR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥0.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23
京电港自营
自营
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2N7002H-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V
3V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
26pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
京电港自营
自营
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DMN67D8L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
340mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
京电港自营
自营
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DMP210DUFB4-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 15V
±10V
-
350mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3
京电港自营
自营
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2N7002K-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V SOT323
京电港自营
自营
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DMN53D0LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
1.5V @ 100µA
1.2nC @ 10V
45.8pF @ 25V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 270mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥0.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
自营
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DMN65D8LQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 0.196A SOT23
京电港自营
自营
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NTR5105PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
196mA（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
1nC @ 5V
30.3pF @ 25V
347mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥0.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323
京电港自营
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DMN63D1LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
310mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SOT323
京电港自营
自营
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2N7002WT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
310mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥0.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
京电港自营
自营
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DMN67D8LW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥0.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
京电港自营
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BSS84-7-F
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
300mW（Ta）
10 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 200MA SOT-23
京电港自营
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BSS138LT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
200mA（Ta）
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
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DMG2301L-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 10V
±8V
-
1.5W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
京电港自营
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DMN61D9UW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A
京电港自营
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DMN62D0U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
±20V
-
380mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.115A SOT-23-3
京电港自营
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2V7002LT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
115mA（Tc）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.34A SOT323
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DMN62D0UW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
±20V
-
320mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
京电港自营
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DMN63D8L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.9nC @ 10V
23.2pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 320MA SOT-23-3
京电港自营
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2V7002KT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
320mA（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
300mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周

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