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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥7.20
自营
ECH8310-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4V,10V
-
28nC @ 10V
1400pF @ 10V
1.5W(Ta)
17 毫欧 @ 4.5A,10V
表面贴装
8-ECH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.27
自营
NVJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1.2W(Ta)
67 毫欧 @ 2.9A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥61.38
自营
NGTB15N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
沟槽型场截止
1200V
30A
60A
2.5V @ 15V,15A
333W
340µJ(关)
标准
-/170ns
600V,15A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
NTD4858NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11.2A(Ta),73A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W(Ta),54.5W(Tc)
6.2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
45 周
8GHz
150mW
0.95 @ 10mA,5V
30mA
NPN
FH105A-TR-E
-
表面贴装
6-MCP
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C(TJ)
NPN
MJD31CT4G
-
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
100V
3A
1.56W
-65°C ~ 150°C(TJ)
1.2V @ 375mA,3A
50µA
10 @ 3A,4V
3MHz
PNP - 达林顿
BD678G
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA,TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
60V
4A
40W
-55°C ~ 150°C(TJ)
2.5V @ 30mA,1.5A
500µA
750 @ 1.5A,3V
-
NPN
SBC846BWT1G
-
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
65V
100mA
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
600mV @ 5mA,100mA
15nA(ICBO)
200 @ 2mA,5V
100MHz
NPN,PNP
MBT3946DW1T1G
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
40V
200mA
150mW
300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA
-
100 @ 10mA,1V
300MHz,250MHz
7 NPN 达林顿
MC1413PG
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
50V
500mA
-
1.6V @ 500µA,350mA
-
1000 @ 350mA,2V
-
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
60 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC124EDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
2 个 NPN 预偏压式(双)
50V
80 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
230mW
-
EMG2DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
PNP
BCX17LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
45V
500mA
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
620mV @ 50mA,500mA
100nA(ICBO)
100 @ 100mA,1V
-
¥6.48
自营
NTLUS3A40PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW(Ta)
29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.92
自营
SVD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
35 @ 5mA,10V
250mV @ 300µA,10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5311DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥86.67
自营
NTMFS6B03NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
19A(Ta),132A(Tc)
6V,10V
4V @ 250µA
58nC @ 10V
4200pF @ 50V
3.4W(Ta),165W(Tc)
4.8 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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