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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥10.65
自营
NTTFS5C454NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
20A(Ta),85A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 45µA
18nC @ 10V
1600pF @ 25V
3.2W(Ta), 55W(Tc)
3.8 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥10.59
自营
NTMFS4835NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
13A(Ta),130A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
52nC @ 11.5V
3100pF @ 12V
890mW(Ta),62.5W(Tc)
3.5 毫欧 @ 30A, 10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NTF6P02T3G
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10A(Ta)
2.5V,4.5V
1V @ 250µA
20nC @ 4.5V
1200pF @ 16V
8.3W(Ta)
50 毫欧 @ 6A,4.5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥20.73
自营
NTD24N06T4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
24A(Ta)
10V
4V @ 250µA
48nC @ 10V
1200pF @ 25V
1.36W(Ta),62.5W(Tj)
42 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥8.76
自营
NDD03N80ZT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.9A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
17nC @ 10V
440pF @ 25V
96W(Tc)
4.5 欧姆 @ 1.2A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥6.48
自营
NTLUS3A40PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW(Ta)
29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥6.54
自营
NTMFS4941NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),47A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1650pF @ 15V
910mW(Ta),25.5W(Tc)
6.2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥5.67
自营
NTD2955T4G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Ta)
10V
4V @ 250µA
30nC @ 10V
750pF @ 25V
55W(Tj)
180 毫欧 @ 6A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
NTHS4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.8A(Tj)
1.8V,4.5V
1.5V @ 250µA
35nC @ 4.5V
2100pF @ 16V
1.3W(Ta)
34 毫欧 @ 4.8A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
NTS4173PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.2A(Ta)
2.5V,10V
1.5V @ 250µA
10.1nC @ 10V
430pF @ 15V
290mW(Ta)
150 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥71.70
自营
NDPL180N10BG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
180A(Ta)
10V,15V
4V @ 1mA
95nC @ 10V
6950pF @ 50V
2.1W(Ta),200W(Tc)
3 毫欧 @ 15V,50A
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥59.76
自营
NDFP03N150CG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
10V
-
34nC @ 10V
650pF @ 30V
2W(Ta),32W(Tc)
10.5 欧姆 @ 1A,10V
通孔
TO-220-3
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥38.10
自营
2SK3703-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
30A(Ta)
4V,10V
-
40nC @ 10V
1780pF @ 20V
2W(Ta),25W(Tc)
26 毫欧 @ 15A,10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NDF04N60ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.8A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
29nC @ 10V
640pF @ 25V
30W(Tc)
2 欧姆 @ 2A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥22.56
自营
NDF05N50ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.5A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
28nC @ 10V
632pF @ 25V
30W(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥14.19
自营
NTD4858N-35G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11.2A(Ta),73A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1563pF @ 12V
1.3W(Ta),54.5W(Tc)
6.2 毫欧 @ 30A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线,IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥57.30
自营
NTMFS5H600NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta), 250A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 250µA
11nC @ 4.5V
6680pF @ 30V
3.3W(Ta), 160W(Tc)
1.3 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥55.56
自营
NTMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
53A(Ta),378A(Tc)
10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
0.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥55.56
自营
NVMFS5C404NLWFT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
49A(Ta),352A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 250µA
181nC @ 10V
12168pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
0.75 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥52.08
自营
NVMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
10V
4V @ 250µA
128nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
0.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
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