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不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥13.74
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED
京电港自营
自营
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NTD4815N-35G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6.9A（Ta），35A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
14.1nC @ 11.5V
770pF @ 12V
1.26W（Ta），32.6W（Tc）
15 毫欧 @ 30A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线，IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥7.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 13A SGL DPAK
京电港自营
自营
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NTD4904NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
41nC @ 10V
3052pF @ 15V
1.4W（Ta），52W（Tc）
3.7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥7.50
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 8A 8-WDFN
京电港自营
自营
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NTTFS5826NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
850pF @ 25V
3.1W（Ta），19W（Tc）
24 毫欧 @ 7.5A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥7.29
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11A 8WDFN
京电港自营
自营
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NTTFS4932NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
46.5nC @ 10V
3111pF @ 15V
850mW（Ta），43W（Tc）
4 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥7.14
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.8A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4821NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.8A（Ta），58.5A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
16nC @ 4.5V
1400pF @ 12V
870mW（Ta），38.5W（Tc）
6.95 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.3A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4841NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.3A（Ta），57A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 4.5V
1436pF @ 12V
870mW（Ta），41.7W（Tc）
7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥18.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
京电港自营
自营
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NTMS4177PR2G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6.6A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
55nC @ 10V
3100pF @ 24V
840mW（Ta）
12 毫欧 @ 11.4A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥16.47
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 8A U8FL
京电港自营
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NVTFS5124PLTAG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.4A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
6nC @ 10V
250pF @ 25V
3W（Ta），18W（Tc）
260 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥6.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11.6A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4936NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.6A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
43nC @ 10V
3044pF @ 15V
920mW（Ta），43W（Tc）
3.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 52A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C08NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），52A（Tc）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
18.2nC @ 10V
1113pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 18A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9.3A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4939NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.3A（Ta），53A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
28.5nC @ 10V
1954pF @ 15V
920mW（Ta），30W（Tc）
5.5 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8DFN
京电港自营
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NTTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），37A（Tc）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
2.7W（Ta），33W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥6.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11.9A SO8FL
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NTMFS4C05NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.9A（Ta）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
14nC @ 4.5V
1972pF @ 15V
770mW（Ta），33W（Tc）
3.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥6.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 3A SOT223
京电港自营
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NTF3055-100T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
455pF @ 25V
1.3W（Ta）
110 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
27 周
¥6.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 3A SOT223
京电港自营
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NTF3055L108T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
5V
2V @ 250µA
15nC @ 5V
440pF @ 25V
1.3W（Ta）
120 毫欧 @ 1.5A，5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥5.76
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
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NTMS4816NR2G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6.8A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
18.3nC @ 10V
1060pF @ 25V
780mW（Ta）
10 毫欧 @ 9A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥5.73
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 9A DPAK
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NTD3055L170T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
5V
2V @ 250µA
10nC @ 5V
275pF @ 25V
1.5W（Ta），28.5W（Tj）
170 毫欧 @ 4.5A，5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.58
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 0.27A SOT-23
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1HN04CH-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
270mA（Ta）
4V，10V
2.6V @ 100µA
0.9nC @ 10V
15pF @ 20V
-
8 欧姆 @ 140mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.52
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 12A DPAK
京电港自营
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NTD3055L104T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12A（Ta）
5V
2V @ 250µA
20nC @ 5V
440pF @ 25V
1.5W（Ta），48W（Tj）
104 毫欧 @ 6A，5V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.52
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 12A DPAK
京电港自营
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NTD3055-094T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12A（Ta）
10V
4V @ 250µA
20nC @ 10V
450pF @ 25V
1.5W（Ta），48W（Tj）
94 毫欧 @ 6A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周

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