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系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
NTR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W(Tj)
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW(Ta)
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
NTR0202PLT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
400mA(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
2.18nC @ 10V
70pF @ 5V
225mW(Ta)
800 毫欧 @ 200mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.07
自营
NTR5198NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.7A(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
182pF @ 25V
900mW(Ta)
155 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥1.95
自营
5LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.57nC @ 10V
6.6pF @ 10V
250mW(Ta)
7.8 欧姆 @ 50mA,4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTK3139PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
660mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
-
170pF @ 16V
310mW(Ta)
480 毫欧 @ 780mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1.77
自营
3LN01M-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW(Ta)
3.7 欧姆 @ 80mA,4V
表面贴装
SC-70 / MCPH3
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
BSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW(Ta)
6 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
2V7002KT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
320mA(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
300mW(Tj)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
2V7002LT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
115mA(Tc)
5V,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
BSS138LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
200mA(Ta)
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
NTR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥0.75
自营
2V7002LT3G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
115mA(Tc)
5V,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
BSS138LT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
200mA(Ta)
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
2N7002ET1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.81nC @ 5V
26.7pF @ 25V
300mW(Tj)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
NTR5103NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.6V @ 250µA
0.81nC @ 5V
40pF @ 25V
300mW(Ta)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.36
自营
CPH3455-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
1W(Ta)
104 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.30
自营
CPH6445-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4V,10V
-
6.8nC @ 10V
310pF @ 20V
1.6W(Ta)
117 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.30
自营
MCH6342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.6nC @ 4.5V
650pF @ 10V
1.5W(Ta)
73 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.24
自营
NTD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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