|
|
NTTFS5C670NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta），70A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 53µA |
20nC @ 10V |
1400pF @ 25V |
3.2W（Ta），63W（Tc） |
6.5 毫欧 @ 35A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTD5802NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16.4A（Ta），101A（Tc） |
5V，10V |
3.5V @ 250µA |
100nC @ 10V |
5025pF @ 25V |
2.5W（Ta），93.75W（Tc） |
4.4 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
|
NTB35N15T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
37A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
100nC @ 10V |
3200pF @ 25V |
2W（Ta），178W（Tj） |
50 毫欧 @ 18.5A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
SMP3003-TL-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
100A（Ta） |
4V，10V |
- |
280nC @ 10V |
13400pF @ 20V |
90W（Tc） |
8 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
D²PAK（TO-263） |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
NTB6410ANT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
76A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
120nC @ 10V |
4500pF @ 25V |
188W（Tc） |
13 毫欧 @ 76A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NDF11N50ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Tc） |
10V |
4.5V @ 100µA |
69nC @ 10V |
1645pF @ 25V |
39W（Tc） |
520 毫欧 @ 4.5A，10V |
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NDF06N60ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.1A（Tc） |
10V |
4.5V @ 100µA |
47nC @ 10V |
1107pF @ 25V |
35W（Tc） |
1.2 欧姆 @ 3A，10V |
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta），61A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
85nC @ 10V |
4800pF @ 25V |
4.1W（Ta），118W（Tc） |
16 毫欧 @ 29A，10V |
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
NTB45N06LT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
32nC @ 5V |
1700pF @ 25V |
2.4W（Ta），125W（Tj） |
28 毫欧 @ 22.5A，5V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB25P06T4G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
27.5A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
50nC @ 10V |
1680pF @ 25V |
120W（Tj） |
82 毫欧 @ 25A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB45N06T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
46nC @ 10V |
1725pF @ 25V |
2.4W（Ta），125W（Tj） |
26 毫欧 @ 22.5A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTMFS4923NET1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12.7A（Ta），91A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
22nC @ 4.5V |
4850pF @ 15V |
930mW（Ta），48W（Tc） |
3.3 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTMFS4934NT3G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17.1A（Ta），147A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
34nC @ 4.5V |
5505pF @ 15V |
930mW（Ta），69.44W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NDF04N60ZH |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.8A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
29nC @ 10V |
640pF @ 25V |
30W（Tc） |
2 欧姆 @ 2A，10V |
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
NVMFS5C423NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
- |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
50nC @ 10V |
3100pF @ 20V |
3.7W（Ta）, 83W（Tc） |
2 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTMFS4833NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta），156A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
88nC @ 11.5V |
5600pF @ 12V |
910mW（Ta），125W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NDD02N60Z-1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.2A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
10.1nC @ 10V |
274pF @ 25V |
57W（Tc） |
4.8 欧姆 @ 1A，10V |
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB5605PT4G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
18.5A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
22nC @ 5V |
1190pF @ 25V |
88W（Tc） |
140 毫欧 @ 8.5A，5V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
ATP404-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
95A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
120nC @ 10V |
6400pF @ 20V |
70W（Tc） |
7.2 毫欧 @ 48A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
ATP405-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
40A（Ta） |
10V |
- |
68nC @ 10V |
4000pF @ 20V |
70W（Tc） |
33 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
