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封装/外壳
包装
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¥2.97
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3A CPH3
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CPH3350-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
83 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 0.15A SSFP
京电港自营
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3LN01SS-TL-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
SC-81（SSFP）
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 0.1A SMCP
京电港自营
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3LP01SS-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.43nC @ 10V
7.5pF @ 10V
150mW（Ta）
10.4 欧姆 @ 50mA，4V
表面贴装
3-SSFP
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.13A SOT-23
京电港自营
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NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥10.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS3443T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
565pF @ 5V
500mW（Ta）
65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 3.2A SOT23
京电港自营
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NTR4170NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
4.76nC @ 4.5V
432pF @ 15V
480mW（Ta）
55 毫欧 @ 3.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V SOT-23-3
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NVR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23（TO-236AB）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥7.68
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.238A SOT-416
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NTA4001NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
238mA（Tj）
2.5V，4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW（Tj）
3 欧姆 @ 10mA，4.5V
表面贴装
SC-75，SOT-416
SC-75，SOT-416
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥1.23
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 500MA SOT-23
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NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥520.77
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 9A TO220
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NTP8G202NG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Tc）
8V
2.6V @ 500µA
9.3nC @ 4.5V
760pF @ 400V
65W（Tc）
350 毫欧 @ 5.5A，8V
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
¥236.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 9A TO3PF-3
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NDUL09N150CG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
10V
4V @ 1mA
114nC @ 10V
2025pF @ 30V
3W（Ta），78W（Tc）
3 欧姆 @ 3A，10V
TO-3PF-3
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥128.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1700V 2.5A
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WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tc）
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W（Ta），55W（Tc）
10.5 欧姆 @ 1.5A，10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥100.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 2A TO-3PF-3
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2SK3747-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
3W（Ta），50W（Tc）
13 欧姆 @ 1A，10V
通孔
TO-3PF-3
SC-94
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥86.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 19A SO8FL
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NTMFS6B03NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
19A（Ta），132A（Tc）
6V，10V
4V @ 250µA
58nC @ 10V
4200pF @ 50V
3.4W（Ta），165W（Tc）
4.8 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥81.63
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 75V 68A TO-220F-3SG
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BMS3004-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
68A（Ta）
4V，10V
-
300nC @ 10V
13400pF @ 20V
2W（Ta），40W（Tc）
8.5 毫欧 @ 34A，10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥81.63
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 78A
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BMS3003-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
78A（Ta）
4V，10V
-
285nC @ 10V
13200pF @ 20V
2W（Ta），40W（Tc）
6.5 毫欧 @ 39A，10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥54.69
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 100A D2PAK
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BBS3002-DL-1E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4V，10V
-
280nC @ 10V
13200pF @ 20V
90W（Tc）
5.8 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
D²PAK（TO-263）
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥13.65
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 11A TP-FA
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SFT1345-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta）
4V，10V
-
21nC @ 10V
1020pF @ 20V
1W（Ta），35W（Tc）
275 毫欧 @ 5.5A，10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥32.91
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 98A DPAK
京电港自营
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NTD5862NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
98A（Tc）
10V
4V @ 250µA
82nC @ 10V
6000pF @ 25V
115W（Tc）
5.7 毫欧 @ 45A，10V
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥13.14
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 32A DPAK
京电港自营
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NTD6414ANT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
32A（Tc）
10V
4V @ 250µA
40nC @ 10V
1450pF @ 25V
100W（Tc）
37 毫欧 @ 32A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周

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