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FET类型
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电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥59.70
自营
2SK4177-DL-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
80W(Tc)
13 欧姆 @ 1A,10V
表面贴装
TO-263-2
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥49.89
自营
NTMFS5C604NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
38A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
120nC @ 10V
8900pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
1.2 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥54.21
自营
BBS3002-TL-1E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100A(Ta)
4V,10V
-
280nC @ 10V
13200pF @ 20V
90W(Tc)
5.8 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
D²PAK(TO-263)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥41.67
自营
NTMFS5C410NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
46A(Ta), 300A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
18nC @ 10V
6100pF @ 25V
3.9W(Ta), 166W(Tc)
0.92 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥34.86
自营
ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100A(Ta)
4.5V,10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W(Tc)
6.5 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥30.57
自营
NTMFS5C426NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
41A(Ta), 235A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
13nC @ 10V
4300pF @ 25V
3.8W(Ta), 128W(Tc)
1.3 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥25.17
自营
NTMFS5C430NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta),185A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
10nC @ 10V
3300pF @ 25V
3.8W(Ta), 106W(Tc)
1.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥22.59
自营
NTMFS4934NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
17.1A(Ta),147A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
34nC @ 4.5V
5505pF @ 15V
930mW(Ta),69.44W(Tc)
2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥19.77
自营
NTMFS5C442NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
29A(Ta), 140A(Tc)
10V
4V @ 250µA
6.6nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.7W(Ta), 83W(Tc)
2.3 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥16.86
自营
NVD6824NLT4G-VF01
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.5A(Ta),41A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
66nC @ 10V
3468pF @ 25V
3.9W(Ta),90W(Tc)
20 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
ATP208-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
90A(Ta)
4.5V,10V
-
83nC @ 10V
4510pF @ 20V
60W(Tc)
6 毫欧 @ 45A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥19.41
自营
NTMFS4982NFT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
26.5A(Ta),207A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 1mA
84nC @ 10V
6000pF @ 15V
1.5W(Ta)
1.3 毫欧 @ 25A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥39.90
自营
ATP301-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
28A(Ta)
10V
-
73nC @ 10V
4000pF @ 20V
70W(Tc)
75 毫欧 @ 14A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥39.24
自营
NTMS10P02R2G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.8A(Ta)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
70nC @ 4.5V
3640pF @ 16V
1.6W(Ta)
14 毫欧 @ 10A,4.5V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥17.25
自营
ATP302-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
70A(Ta)
4.5V,10V
-
115nC @ 10V
5400pF @ 20V
70W(Tc)
13 毫欧 @ 35A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥16.74
自营
NTMFS5C450NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
24A(Ta), 102A(Tc)
10V
3.5V @ 65µA
5.1nC @ 10V
1600pF @ 25V
3.6W(Ta), 68W(Tc)
3.3 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
ATP206-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
40A(Ta)
4.5V,10V
-
27nC @ 10V
1630pF @ 20V
40W(Tc)
16 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥14.13
自营
NTMFS4C55NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11.9A(Ta),78A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
30nC @ 10V
1972pF @ 15V
-
3.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥13.26
自营
NVTFS5811NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
30nC @ 10V
1570pF @ 25V
3.2W(Ta),21W(Tc)
6.7 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
¥11.76
自营
NVTFS5820NLTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
3.2W(Ta),21W(Tc)
11.5 毫欧 @ 8.7A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
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