|
|
NDT02N40T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
400mA（Tc） |
10V |
2V @ 250µA |
5.5nC @ 10V |
121pF @ 25V |
2W（Tc） |
5.5 欧姆 @ 220mA，10V |
表面贴装 |
SOT-223（TO-261） |
TO-261-4，TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NTD4858NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11.2A（Ta），73A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
19.2nC @ 4.5V |
1563pF @ 12V |
1.3W（Ta），54.5W（Tc） |
6.2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
45 周 |
|
|
NTR3A30PZT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
17.6nC @ 4.5V |
1651pF @ 15V |
480mW（Ta） |
38 毫欧 @ 3A，4.5V |
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTD4809NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.6A（Ta），58A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
25nC @ 11.5V |
1456pF @ 12V |
1.4W（Ta），52W（Tc） |
9 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NDD02N40T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.7A（Tc） |
10V |
2V @ 250µA |
5.5nC @ 10V |
121pF @ 25V |
39W（Tc） |
5.5 欧姆 @ 220mA，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
|
NTHS5404T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.2A（Ta） |
2.5V，4.5V |
600mV @ 250µA |
18nC @ 4.5V |
- |
1.3W（Ta） |
30 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
表面贴装 |
ChipFET™ |
8-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
NTMFS4C13NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.2A（Ta），38A（Tc） |
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
15.2nC @ 10V |
770pF @ 15V |
750mW（Ta） |
9.1 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTD5867NLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
20A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
15nC @ 10V |
675pF @ 25V |
36W（Tc） |
39 毫欧 @ 10A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
NTD4965NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
13A（Ta），68A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
17.2nC @ 4.5V |
1710pF @ 15V |
1.39W（Ta），38.5W（Tc） |
4.7 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
MCH3383-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.5A（Ta） |
0.9V，2.5V |
800mV @ 1mA |
6.2nC @ 2.5V |
1010pF @ 6V |
1W（Ta） |
69 毫欧 @ 1.5A，2.5V |
表面贴装 |
SC-70FL/MCPH3 |
3-SMD，扁平引线 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTD4909NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.8A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
17.5nC @ 10V |
1314pF @ 15V |
1.37W（Ta），29.4W（Tc） |
8 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD4969NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.4A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
9nC @ 4.5V |
837pF @ 15V |
1.38W（Ta），26.3W（Tc） |
9 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
NTLJF3117PT1G |
|
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.3A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
6.2nC @ 4.5V |
531pF @ 10V |
710mW（Ta） |
100 毫欧 @ 2A，4.5V |
表面贴装 |
6-WDFN（2x2） |
6-WDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTLJF4156NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.5A（Tj） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
6.5nC @ 4.5V |
427pF @ 15V |
710mW（Ta） |
70 毫欧 @ 2A，4.5V |
表面贴装 |
6-WDFN（2x2） |
6-WDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
NTMFS4943NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.3A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
20.9nC @ 10V |
1401pF @ 15V |
910mW（Ta），22.3W（Tc） |
7.2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
CPH3462-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
3.4nC @ 10V |
155pF @ 20V |
1W（Ta） |
785 毫欧 @ 1A，10V |
表面贴装 |
3-CPH |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTRV4101PT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
8.5nC @ 4.5V |
675pF @ 10V |
420mW（Ta） |
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTGS3455T1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.5A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
13nC @ 10V |
480pF @ 5V |
500mW（Ta） |
100 毫欧 @ 3.5A，10V |
表面贴装 |
6-TSOP |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NVTR4502PT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.13A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
10nC @ 10V |
200pF @ 15V |
400mW（Tj） |
200 毫欧 @ 1.95A，10V |
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTJS3157NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.2A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
15nC @ 4.5V |
500pF @ 10V |
1W（Ta） |
60 毫欧 @ 4A，4.5V |
表面贴装 |
SC-88/SC70-6/SOT-363 |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
10 周 |
