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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥1.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523
京电港自营
自营
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DMN313DLT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
36.3pF @ 5V
±20V
-
280mW（Ta）
2 欧姆 @ 10mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.32
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 0.154A SC75-3
京电港自营
自营
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NVTA7002NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
154mA（Tj）
2.5V，4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW（Tj）
7 欧姆 @ 154mA，4.5V
表面贴装
SC-75
SC-75，SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥1.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
京电港自营
自营
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DMN6140L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8.6nC @ 10V
315pF @ 40V
±20V
-
700mW（Ta）
140 毫欧 @ 1.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.32
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.18A SOT23
京电港自营
自营
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2N7002A-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
6 欧姆 @ 115mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.35
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
京电港自营
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DMN62D0LFD-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4V
1V @ 250µA
500nC @ 4.5V
31pF @ 25V
±20V
-
480mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
京电港自营
自营
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DMG2301L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 10V
±8V
-
1.5W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
京电港自营
自营
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DMN1260UFA-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
0.96nC @ 4.5V
60pF @ 10V
±8V
-
360mW（Ta）
366 毫欧 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
京电港自营
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DMP21D2UFA-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
49pF @ 15V
±8V
-
360mW（Ta）
1 欧姆 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
京电港自营
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DMN2046U-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
292pF @ 10V
±12V
-
760mW（Ta）
72 毫欧 @ 3.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A
京电港自营
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DMN62D0U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
32pF @ 30V
±20V
-
380mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
京电港自营
自营
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DMN65D8LFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
25pF @ 25V
±20V
-
430mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.44
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SC70-3
京电港自营
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2V7002WT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
310mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
京电港自营
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DMN26D0UT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
-
14.1pF @ 15V
±10V
-
300mW（Ta）
3 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
京电港自营
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DMG1012UW-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
290mW（Ta）
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
京电港自营
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DMN53D0U-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，5V
1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
37.1pF @ 25V
±12V
-
520mW（Ta）
2 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥1.44
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT-23
京电港自营
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DMP3120L-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.4V @ 250µA
6.7nC @ 10V
285pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥1.50
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
京电港自营
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BSS123WQ-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 170mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.50
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
京电港自营
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DMN2300UFB4-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
500mW（Ta）
175 毫欧 @ 300mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.50
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
京电港自营
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DMN55D0UT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4V
1V @ 250µA
-
25pF @ 10V
±12V
-
200mW（Ta）
4 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3406L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11.2nC @ 10V
495pF @ 15V
±20V
-
770mW（Ta）
50 毫欧 @ 3.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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