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频率
最大功率
最小电流增益
最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
¥1.11
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.5A SOT23
京电港自营
自营
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MMBFV170LT3G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN 3.5V 40MA ECSP1008-4
京电港自营
自营
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26GHz
120mW
70 @ 5mA，1V
40mA
NPN
EC4H09C-TL-H
-
表面贴装
4-ECSP1008
4-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C（TJ）
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.2A 6UDFN
京电港自营
自营
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NTLUF4189NZTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2A（Ta）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
95pF @ 15V
500mW（Ta）
200 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（1.6x1.6）
6-UFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123JDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.28
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
京电港自营
自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
187mW
-
SMUN5237DW1T1G
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥0.63
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323
京电港自营
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PNP
BC857CWT1G
-
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
45V
100mA
150mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
420 @ 2mA，5V
100MHz
¥2.58
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
京电港自营
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1 NPN 预偏压式，1 PNP
50V，40V
80 @ 5mA，10V / 100 @ 1mA，10V
250mV @ 300µA，10mA / 400mV @ 5mA，50mA
500nA
250MHz
500mW
-
NSTB1002DXV5T1G
-
SOT-553
SOT-553
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.65
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 12V 1A WDFN3
京电港自营
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PNP
NSS12100UW3TCG
-
表面贴装
3-WDFN（2x2）
3-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
12V
1A
740mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
440mV @ 100mA，1A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
200MHz
¥15.54
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
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NPN - 达林顿
BD679AG
-
通孔
TO-225AA
TO-225AA，TO-126-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
80V
4A
40W
-55°C ~ 150°C（TJ）
2.8V @ 40mA，2A
500µA
750 @ 2A，3V
-
¥0.84
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
京电港自营
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NPN - 达林顿
MMBTA13LT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
300mA
225mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
1.5V @ 100µA，100mA
100nA（ICBO）
10000 @ 100mA，5V
125MHz
¥68.10
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 120V 15A TO3
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PNP
MJ15016G
-
通孔
TO-3
TO-204AA，TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
120V
15A
115W
-65°C ~ 200°C（TJ）
5V @ 7A，15A
100µA
10 @ 4A，2V
18MHz
¥5.85
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN 30V 1.5A CPH6
京电港自营
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2 NPN（双）
CPH6501-TL-E
-
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
30V
1.5A
1.2W
225mV @ 15mA，750mA
100nA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
500MHz
¥12.54
AMI Semiconductor 二极管 电路保护 表面贴装 TVS DIODE 3VWM 10UDFN
京电港自营
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¥5.49
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 400V 0.4A SOT223
京电港自营
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NDT02N40T1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
400mA（Tc）
10V
2V @ 250µA
5.5nC @ 10V
121pF @ 25V
2W（Tc）
5.5 欧姆 @ 220mA，10V
表面贴装
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥19.77
T6 40V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
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NTMFS5C442NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
29A（Ta）, 140A（Tc）
10V
4V @ 250µA
6.6nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.7W（Ta）, 83W（Tc）
2.3 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.23
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN BIPO 12V 150MA CPH6
京电港自营
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7GHz
800mW
100 @ 50mA，5V
150mA
NPN
CPH6003A-TL-E
-
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
150°C（TJ）
¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6442-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
20nC @ 10V
1040pF @ 20V
1.6W（Ta）
43 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
询价
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 390V 20A 150W D2PAK
京电港自营
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NGB8206NG
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
390V
20A
50A
1.9V @ 4.5V，20A
150W
-
逻辑
-/5µs
300V，9A，1 千欧，5V
-55°C ~ 175°C（TJ）
¥0.48
AMI 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
京电港自营
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NPN
BC846BLT1G
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
65V
100mA
300mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
100MHz
¥2.19
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
15 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
339mW
-
NSBC143EDP6T5G
-
SOT-963
SOT-963
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周

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