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安装类型
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MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 25V 9.2A DPAK
京电港自营
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NTD4863NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.2A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
13.5nC @ 4.5V
990pF @ 12V
1.27W（Ta），36.6W（Tc）
9.3 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
京电港自营
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DI9400T
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.8V @ 250µA
25nC @ 10V
350pF @ 10V
±20V
-
1W（Ta）
130 毫欧 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SMD，鸥翼型
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
京电港自营
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ZXMN10A25K
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
17.16nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 35A ATPAK
京电港自营
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ATP212-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
35A（Ta）
4V，10V
-
34.5nC @ 10V
1820pF @ 20V
40W（Tc）
23 毫欧 @ 18A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 40A ATPAK
京电港自营
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ATP206-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
40A（Ta）
4.5V，10V
-
27nC @ 10V
1630pF @ 20V
40W（Tc）
16 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
京电港自营
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DMN2013UFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
25.8nC @ 8V
2453pF @ 10V
±8V
-
660mW（Ta）
11 毫欧 @ 8.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
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DMG4468LFG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
18.85nC @ 10V
867pF @ 10V
±20V
-
990mW（Ta）
15 毫欧 @ 11.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A SOT563
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SCH1332-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
95 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 90A ATPAK
京电港自营
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ATP208-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
90A（Ta）
4.5V，10V
-
83nC @ 10V
4510pF @ 20V
60W（Tc）
6 毫欧 @ 45A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
京电港自营
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ZXMN6A08E6QTA
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
5.8nC @ 10V
459pF @ 40V
±20V
-
1.1W（Ta）
80 毫欧 @ 4.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥0.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 260MA SOT-23
京电港自营
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2N7002ET1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
260mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.81nC @ 5V
26.7pF @ 25V
300mW（Tj）
2.5 欧姆 @ 240mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥0.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
京电港自营
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2N7002-7-F
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
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DMN65D8LQ-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.66
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
京电港自营
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DMN67D8L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
340mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥0.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT323
京电港自营
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DMN67D8LW-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
320mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥0.75
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V .115A
京电港自营
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2V7002LT3G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
115mA（Tc）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥0.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
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DMN63D8L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
0.9nC @ 10V
23.2pF @ 25V
±20V
-
350mW（Ta）
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥0.75
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 50V 200MA SOT-23
京电港自营
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BSS138LT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
200mA（Ta）
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥0.81
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 320MA SOT-23
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2N7002KT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
320mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
350mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥0.84
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23
京电港自营
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DMN63D1L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 1mA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
2 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周

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