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FET功能
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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
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¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
京电港自营
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DMT6016LSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
1.5W（Ta）
18 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥57.30
T8 60V MOSFET AMI FET，MOSFET - 单
京电港自营
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NTMFS5H600NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
35A（Ta）, 250A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11nC @ 4.5V
6680pF @ 30V
3.3W（Ta）, 160W（Tc）
1.3 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥0.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
京电港自营
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BSS84-7-F
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
300mW（Ta）
10 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 3A CPH6
京电港自营
自营
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CPH6355-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
1.6W（Ta）
169 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.33
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3484-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
0.9V，2.5V
800mV @ 1mA
11nC @ 2.5V
630pF @ 10V
1W（Ta）
40 毫欧 @ 2A，2.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
京电港自营
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DMG4812SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
18.5nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.54W（Ta）
15 毫欧 @ 10.7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
京电港自营
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DMN10H099SK3-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
34W（Tc）
80 毫欧 @ 3.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TO-252
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.04
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
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DMP4065S-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
12.2nC @ 10V
587pF @ 20V
±20V
-
720mW（Ta）
80 毫欧 @ 4.2A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥19.41
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 26.5A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4982NFT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
26.5A（Ta），207A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 1mA
84nC @ 10V
6000pF @ 15V
1.5W（Ta）
1.3 毫欧 @ 25A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥1.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
京电港自营
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DMG3406L-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11.2nC @ 10V
495pF @ 15V
±20V
-
770mW（Ta）
50 毫欧 @ 3.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.88
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
京电港自营
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DMN2028UVT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W（Ta）
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 6.8A U-DFN2020-6
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DMP3028LFDE-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.4V @ 250µA
22nC @ 10V
1241pF @ 15V
±20V
-
660mW（Ta）
32 毫欧 @ 7A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
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DMT6016LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17nC @ 10V
864pF @ 30V
±20V
-
820mW（Ta）
16 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
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ZXM62P02E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.7V，4.5V
700mV @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
320pF @ 15V
±12V
-
1.1W（Ta）
200 毫欧 @ 1.6A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23-6
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥12.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 23A WDFN8
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NTTFS5C453NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
23A（Ta），107A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 63µA
35nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.3W（Ta）, 68W（Tc）
3 毫欧 @ 40A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥39.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
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NTMS10P02R2G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.8A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
70nC @ 4.5V
3640pF @ 16V
1.6W（Ta）
14 毫欧 @ 10A，4.5V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥0.75
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V .115A
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2V7002LT3G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
115mA（Tc）
5V，10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW（Ta）
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥2.34
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A MCPH3
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MCH3375-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
800mW（Ta）
295 毫欧 @ 800mA，10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.24
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A CPH6
京电港自营
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CPH6337-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.6W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
京电港自营
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DMS3014SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
45.7nC @ 10V
2296pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.55W（Ta）
13 毫欧 @ 10.4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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