|
|
DMN2028UVT-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.5V @ 250µA |
8.3nC @ 4.5V |
856pF @ 10V |
±8V |
- |
1.2W（Ta） |
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TSOT-26 |
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN2500UFB4-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
0.74nC @ 4.5V |
60.67pF @ 16V |
±6V |
- |
460mW（Ta） |
400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-DFN1006-3 |
3-XFDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NDD02N60Z-1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.2A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
10.1nC @ 10V |
274pF @ 25V |
|
|
57W（Tc） |
4.8 欧姆 @ 1A，10V |
|
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
ZXMN2A01FTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
700mV @ 250µA |
3nC @ 4.5V |
303pF @ 15V |
±12V |
- |
625mW（Ta） |
120 毫欧 @ 4A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTD4965NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
13A（Ta），68A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
17.2nC @ 4.5V |
1710pF @ 15V |
|
|
1.39W（Ta），38.5W（Tc） |
4.7 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
DMP3035LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，20V |
2V @ 250µA |
30.7nC @ 10V |
1655pF @ 20V |
±25V |
- |
2W（Ta） |
16 毫欧 @ 8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SOP |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
2V7002LT3G |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
115mA（Tc） |
5V，10V |
2.5V @ 250µA |
- |
50pF @ 25V |
|
|
225mW（Ta） |
7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
|
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
36 周 |
|
|
MCH3375-TL-W |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.6A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
2.2nC @ 10V |
82pF @ 10V |
|
|
800mW（Ta） |
295 毫欧 @ 800mA，10V |
|
表面贴装 |
SC-70FL/MCPH3 |
3-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
CPH6337-TL-W |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.5A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1.4V @ 1mA |
5.6nC @ 4.5V |
405pF @ 6V |
|
|
1.6W（Ta） |
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
|
表面贴装 |
6-CPH |
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
DMTH6010LK3-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
41.3nC @ 10V |
2090pF @ 30V |
±20V |
- |
3.1W（Ta） |
8 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252，（D-Pak） |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NDF11N50ZG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Tc） |
10V |
4.5V @ 100µA |
69nC @ 10V |
1645pF @ 25V |
|
|
39W（Tc） |
520 毫欧 @ 4.5A，10V |
|
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
|
NTLUS3A90PZTAG |
|
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.6A（Ta） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
12.3nC @ 4.5V |
950pF @ 10V |
|
|
600mW（Ta） |
62 毫欧 @ 4A，4.5V |
|
表面贴装 |
6-UDFN（1.6x1.6） |
6-PowerUFDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
|
NTD3055-094T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
20nC @ 10V |
450pF @ 25V |
|
|
1.5W（Ta），48W（Tj） |
94 毫欧 @ 6A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
ZXMN6A11ZTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
1V @ 250µA |
5.7nC @ 10V |
330pF @ 40V |
±20V |
- |
1.5W（Ta） |
120 毫欧 @ 2.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-89-3 |
TO-243AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN62D0LFD-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.8V，4V |
1V @ 250µA |
500nC @ 4.5V |
31pF @ 25V |
±20V |
- |
480mW（Ta） |
2 欧姆 @ 100mA，4V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X1-DFN1212-3 |
3-UDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP21D0UFD-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.5V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
3nC @ 4.5V |
80pF @ 10V |
±8V |
- |
490mW（Ta） |
495 毫欧 @ 800mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X1-DFN1212-3 |
3-UDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTTFS4C25NTWG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5A（Ta），27A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
10.3nC @ 10V |
500pF @ 15V |
|
|
690mW（Ta）, 20.2W（Tc） |
17 毫欧 @ 10A，10V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
37 周 |
|
|
ZXMP10A16KTC |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
6V，10V |
4V @ 250µA |
16.5nC @ 10V |
717pF @ 50V |
±20V |
- |
2.15W（Ta） |
235 毫欧 @ 2.1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMN10A07ZTA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
6V，10V |
4V @ 250µA |
2.9nC @ 10V |
138pF @ 50V |
±20V |
- |
1.5W（Ta） |
700 毫欧 @ 1.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-89-3 |
TO-243AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
PCP1302-TD-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
6.4nC @ 10V |
262pF @ 20V |
|
|
3.5W（Tc） |
266 毫欧 @ 1.5A，10V |
|
表面贴装 |
SOT-89/PCP-1 |
TO-243AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
