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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 3A SOT89
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6.39
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
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12.99
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V 23A WDFN8
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1.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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39.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
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2.88
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
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4.02
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO
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5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3A 6UDFN
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7.47
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
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10.14
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
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0.75
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V .115A
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17.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V IPAK
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2.34
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A MCPH3
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3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A CPH6
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4.41
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
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5.85
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
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12.15
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
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1.35
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
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30.21
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 500V 12A TO-220FP
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2.64
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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4.77
另提供行业标准包装
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型号
PCP1302-TD-H
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4.77
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 3A SOT89
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PCP1302-TD-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6.4nC @ 10V
262pF @ 20V
3.5W(Tc)
266 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
SOT-89/PCP-1
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥
6.39
另提供行业标准包装
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型号
DMN3027LFG-7
¥
6.39
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
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DMN3027LFG-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1.8V @ 250µA
11.3nC @ 10V
580pF @ 15V
±25V
-
1W(Ta)
18.6 毫欧 @ 10A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
12.99
另提供行业标准包装
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型号
NTTFS5C453NLTAG
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12.99
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 40V 23A WDFN8
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NTTFS5C453NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
23A(Ta),107A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 63µA
35nC @ 10V
2100pF @ 25V
3.3W(Ta), 68W(Tc)
3 毫欧 @ 40A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
1.53
另提供行业标准包装
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型号
DMG3406L-13
¥
1.53
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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DMG3406L-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
11.2nC @ 10V
495pF @ 15V
±20V
-
770mW(Ta)
50 毫欧 @ 3.6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
39.24
另提供行业标准包装
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型号
NTMS10P02R2G
¥
39.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
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NTMS10P02R2G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.8A(Ta)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
70nC @ 4.5V
3640pF @ 16V
1.6W(Ta)
14 毫欧 @ 10A,4.5V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥
2.88
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型号
DMN2028UVT-7
¥
2.88
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
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DMN2028UVT-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
8.3nC @ 4.5V
856pF @ 10V
±8V
-
1.2W(Ta)
24 毫欧 @ 6.2A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
4.02
另提供行业标准包装
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型号
DMN6040SSS-13
¥
4.02
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N CH 60V 5.5A 8-SO
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DMN6040SSS-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
1.5W(Ta)
40 毫欧 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
5.40
另提供行业标准包装
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型号
NTLUS3A90PZTBG
¥
5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTBG
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥
7.47
另提供行业标准包装
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型号
ZVP2120GTA
¥
7.47
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
京电港自营
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ZVP2120GTA
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
3.5V @ 1mA
-
100pF @ 25V
-
-
2W(Ta)
25 欧姆 @ 150mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
10.14
另提供行业标准包装
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型号
DMN2500UFB4-7
¥
10.14
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 0.81A 3DFN
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DMN2500UFB4-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
±6V
-
460mW(Ta)
400 毫欧 @ 600mA,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
0.75
另提供行业标准包装
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型号
2V7002LT3G
¥
0.75
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V .115A
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2V7002LT3G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
115mA(Tc)
5V,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥
17.37
另提供行业标准包装
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型号
NDD02N60Z-1G
¥
17.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V IPAK
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NDD02N60Z-1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.2A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
10.1nC @ 10V
274pF @ 25V
57W(Tc)
4.8 欧姆 @ 1A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥
2.34
另提供行业标准包装
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型号
MCH3375-TL-W
¥
2.34
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A MCPH3
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自营
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MCH3375-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
800mW(Ta)
295 毫欧 @ 800mA,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥
3.24
另提供行业标准包装
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型号
CPH6337-TL-W
¥
3.24
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A CPH6
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CPH6337-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.6W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
4.41
另提供行业标准包装
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型号
DMG4812SSS-13
¥
4.41
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
京电港自营
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DMG4812SSS-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
18.5nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管(体)
1.54W(Ta)
15 毫欧 @ 10.7A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥
5.85
另提供行业标准包装
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型号
DMN10H099SK3-13
¥
5.85
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
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DMN10H099SK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6V,10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
34W(Tc)
80 毫欧 @ 3.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-252
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
12.15
另提供行业标准包装
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型号
DMTH6010LK3-13
¥
12.15
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
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DMTH6010LK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
3.1W(Ta)
8 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
TO-252,(D-Pak)
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
1.35
另提供行业标准包装
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型号
DMN62D0LFD-7
¥
1.35
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-DFN
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DMN62D0LFD-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8V,4V
1V @ 250µA
500nC @ 4.5V
31pF @ 25V
±20V
-
480mW(Ta)
2 欧姆 @ 100mA,4V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
30.21
另提供行业标准包装
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型号
NDF11N50ZG
¥
30.21
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 500V 12A TO-220FP
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NDF11N50ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Tc)
10V
4.5V @ 100µA
69nC @ 10V
1645pF @ 25V
39W(Tc)
520 毫欧 @ 4.5A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥
2.64
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMP21D0UFD-7
¥
2.64
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
京电港自营
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DMP21D0UFD-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
3nC @ 4.5V
80pF @ 10V
±8V
-
490mW(Ta)
495 毫欧 @ 800mA,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
X1-DFN1212-3
3-UDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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