|
|
DMTH6004SCTB-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
95.4nC @ 10V |
4556pF @ 30V |
±20V |
- |
4.7W（Ta）, 136W（Tc） |
3.4 毫欧 @ 100A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-263AB |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMP26M7UFG-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
156nC @ 10V |
5940pF @ 10V |
±10V |
- |
2.3W（Ta） |
6.7 毫欧 @ 15A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZXMP10A18KTC |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
6V，10V |
4V @ 250µA |
26.9nC @ 10V |
1055pF @ 50V |
±20V |
- |
2.17W（Ta） |
150 毫欧 @ 2.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN313DLT-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.5V @ 250µA |
0.5nC @ 4.5V |
36.3pF @ 5V |
±20V |
- |
280mW（Ta） |
2 欧姆 @ 10mA，4V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-523 |
SOT-523 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN2114SN-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.4V @ 1mA |
- |
180pF @ 10V |
±12V |
- |
500mW（Ta） |
100 毫欧 @ 500mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SC-59-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN4020LFDE-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.4V @ 250µA |
19.1nC @ 20V |
1060pF @ 20V |
±20V |
- |
660mW（Ta） |
20 毫欧 @ 8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
U-DFN2020-6（E 类） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP3056LSS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
6.8nC @ 4.5V |
722pF @ 25V |
±20V |
- |
2.5W（Ta） |
45 毫欧 @ 6A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SOP |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
NTMFS4941NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9A（Ta），47A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
25.5nC @ 10V |
1650pF @ 15V |
|
|
910mW（Ta），25.5W（Tc） |
6.2 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
DMP3010LPS-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.1V @ 250µA |
126.2nC @ 10V |
6234pF @ 15V |
±20V |
- |
2.18W（Ta） |
7.5 毫欧 @ 10A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI5060-8 |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN3067LW-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
2.5V，4.5V |
1.5V @ 250µA |
4.6nC @ 4.5V |
447pF @ 10V |
±12V |
- |
500mW（Ta） |
67 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-323 |
SC-70，SOT-323 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
NTTFS4C10NTWG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.2A（Ta），44A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
18.6nC @ 10V |
993pF @ 15V |
|
|
790mW（Ta）, 23.6W（Tc） |
7.4 毫欧 @ 30A，10V |
|
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
|
DMS3016SSS-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2.3V @ 250µA |
43nC @ 10V |
1849pF @ 15V |
±12V |
肖特基二极管（体） |
1.54W（Ta） |
13 毫欧 @ 9.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
8-SO |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
SFT1452-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3A（Ta） |
10V |
4.5V @ 1mA |
4.2nC @ 10V |
210pF @ 20V |
|
|
1W（Ta）, 26W（Tc） |
2.4 欧姆 @ 1.5A，10V |
|
表面贴装 |
DPAK/TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
NTB45N06LT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
32nC @ 5V |
1700pF @ 25V |
|
|
2.4W（Ta），125W（Tj） |
28 毫欧 @ 22.5A，5V |
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
DMT6010LFG-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
41.3nC @ 10V |
2090pF @ 30V |
±20V |
- |
2.2W（Ta），41W（Tc） |
7.5 毫欧 @ 20A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
PowerDI3333-8 |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMNH6012LK3Q-13 |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
35.2nC @ 10V |
1926pF @ 30V |
±20V |
- |
2W（Ta） |
12 毫欧 @ 25A，10V |
-55°C ~ 175°C（TJ） |
表面贴装 |
TO-252-4L |
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMG2305UX-13 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
1.8V，4.5V |
900mV @ 250µA |
10.2nC @ 4.5V |
808pF @ 15V |
±8V |
- |
1.4W（Ta） |
52 毫欧 @ 4.2A、 4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
DMN601TK-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
5V，10V |
2.5V @ 1mA |
- |
50pF @ 25V |
±20V |
- |
150mW（Ta） |
2 欧姆 @ 500mA，10V |
-65°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-523 |
SOT-523 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
MVGSF1N02LT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
750mA（Ta） |
4.5V，10V |
2.4V @ 250µA |
- |
125pF @ 5V |
|
|
400mW（Ta） |
90 毫欧 @ 1.2A，10V |
|
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
DMT5015LFDF-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
14nC @ 10V |
902.7pF @ 25V |
±16V |
- |
820mW（Ta） |
15 毫欧 @ 8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
6-UDFN2020（2x2） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
