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不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
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¥2.46
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 3.2A SOT23
京电港自营
自营
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NTR4170NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
-
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
4.76nC @ 4.5V
432pF @ 15V
480mW（Ta）
55 毫欧 @ 3.2A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 48A SO8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4955NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.7A（Ta），48A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.8nC @ 4.5V
1264pF @ 15V
920mW（Ta），23.2W（Tc）
6 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMN10H170SFDE-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
9.7nC @ 10V
1167pF @ 25V
±20V
-
660mW（Ta）
160 毫欧 @ 5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（E 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.82
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 7.3A 8WDFN
京电港自营
自营
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NTTFS4928NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.3A（Ta），37A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
16nC @ 10V
913pF @ 15V
810mW（Ta），20.8W（Tc）
9 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥9.24
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-
京电港自营
自营
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DMN31D5UFZ-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2V，4.5V
1V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
22.2pF @ 15V
±12V
-
393mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥16.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 18.5A D2PAK
京电港自营
自营
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NTB5605PT4G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
18.5A（Ta）
5V
2V @ 250µA
22nC @ 5V
1190pF @ 25V
88W（Tc）
140 毫欧 @ 8.5A，5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥39.69
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
京电港自营
自营
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DMNH6008SPS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
40.1nC @ 10V
2597pF @ 30V
±20V
-
3.3W（Ta）
8 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.74
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
京电港自营
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DMP21D0UFB4-7B
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
700mV @ 250µA
1.54nC @ 8V
80pF @ 10V
±8V
-
430mW（Ta）
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.97
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3A CPH3
京电港自营
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CPH3350-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
83 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.87
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.915A SC89-3
京电港自营
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NVE4153NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82nC @ 4.5V
110pF @ 16V
300mW（Tj）
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
表面贴装
SC-89
SC-89，SOT-490
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
京电港自营
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DMT5015LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
14nC @ 10V
902.7pF @ 25V
±16V
-
820mW（Ta）
15 毫欧 @ 8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
6-UDFN2020（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.14
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
京电港自营
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ZXM62P03E6TA
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
10.2nC @ 10V
330pF @ 25V
±20V
-
625mW（Ta）
150 毫欧 @ 1.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
京电港自营
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DMN2320UFB4-7B
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
0.89nC @ 4.5V
71pF @ 10V
±8V
-
520mW（Ta）
320 毫欧 @ 500mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥17.55
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 16A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4833NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
16A（Ta），156A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
88nC @ 11.5V
5600pF @ 12V
910mW（Ta），125W（Tc）
2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥0.87
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.21A SOT23
京电港自营
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DMN67D8L-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.5V @ 250µA
0.82nC @ 10V
22pF @ 25V
±30V
-
340mW（Ta）
5 欧姆 @ 500mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.34
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
京电港自营
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DMN62D0LFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4V
1V @ 250µA
0.45nC @ 4.5V
32pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
2 欧姆 @ 100mA，4V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-X1DFN1006
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.2A SC88
京电港自营
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NVJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1.2W（Ta）
67 毫欧 @ 2.9A，4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥4.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
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DMS2120LFWB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
-
632pF @ 10V
±12V
肖特基二极管（隔离式）
1.5W（Ta）
95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-DFN3020B（3x2）
8-VDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
京电港自营
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DMN6069SFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
1480pF @ 30V
±20V
-
930mW（Ta）
50 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.64
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
京电港自营
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NTMS4807NR2G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.1A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
24nC @ 4.5V
2900pF @ 24V
860mW（Ta）
6.1 毫欧 @ 14.8A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周

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