|
|
NTP8G202NG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9A（Tc） |
8V |
2.6V @ 500µA |
9.3nC @ 4.5V |
760pF @ 400V |
|
|
65W（Tc） |
350 毫欧 @ 5.5A，8V |
|
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
14 周 |
|
|
NDUL09N150CG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9A（Ta） |
10V |
4V @ 1mA |
114nC @ 10V |
2025pF @ 30V |
|
|
3W（Ta），78W（Tc） |
3 欧姆 @ 3A，10V |
|
|
TO-3PF-3 |
TO-3P-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
WPH4003-1E |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.5A（Tc） |
10V |
- |
48nC @ 10V |
850pF @ 30V |
|
|
3W（Ta），55W（Tc） |
10.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
|
通孔 |
TO-3PF |
TO-3P-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
2SK3747-1E |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2A（Ta） |
10V |
- |
37.5nC @ 10V |
380pF @ 30V |
|
|
3W（Ta），50W（Tc） |
13 欧姆 @ 1A，10V |
|
通孔 |
TO-3PF-3 |
SC-94 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
SMP3003-TL-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
100A（Ta） |
4V，10V |
- |
280nC @ 10V |
13400pF @ 20V |
|
|
90W（Tc） |
8 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
D²PAK（TO-263） |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
NTMFS6B03NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
19A（Ta），132A（Tc） |
6V，10V |
4V @ 250µA |
58nC @ 10V |
4200pF @ 50V |
|
|
3.4W（Ta），165W（Tc） |
4.8 毫欧 @ 20A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
BMS3004-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
68A（Ta） |
4V，10V |
- |
300nC @ 10V |
13400pF @ 20V |
|
|
2W（Ta），40W（Tc） |
8.5 毫欧 @ 34A，10V |
|
通孔 |
TO-220F-3SG |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
BMS3003-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
78A（Ta） |
4V，10V |
- |
285nC @ 10V |
13200pF @ 20V |
|
|
2W（Ta），40W（Tc） |
6.5 毫欧 @ 39A，10V |
|
通孔 |
TO-220F-3SG |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NDPL180N10BG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
180A（Ta） |
10V，15V |
4V @ 1mA |
95nC @ 10V |
6950pF @ 50V |
|
|
2.1W（Ta），200W（Tc） |
3 毫欧 @ 15V，50A |
|
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NDFP03N150CG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.5A（Ta） |
10V |
- |
34nC @ 10V |
650pF @ 30V |
|
|
2W（Ta），32W（Tc） |
10.5 欧姆 @ 1A，10V |
|
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
7 周 |
|
|
2SK4177-DL-1E |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2A（Ta） |
10V |
- |
37.5nC @ 10V |
380pF @ 30V |
|
|
80W（Tc） |
13 欧姆 @ 1A，10V |
|
表面贴装 |
TO-263-2 |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NTMFS5H600NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
35A（Ta）, 250A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
11nC @ 4.5V |
6680pF @ 30V |
|
|
3.3W（Ta）, 160W（Tc） |
1.3 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NVMFS5C404NLWFT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
49A（Ta），352A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
181nC @ 10V |
12168pF @ 25V |
|
|
3.9W（Ta），200W（Tc） |
0.75 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTMFS5C404NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
53A（Ta），378A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
22nC @ 10V |
8400pF @ 25V |
|
|
3.9W（Ta），200W（Tc） |
0.7 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
BBS3002-DL-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
100A（Ta） |
4V，10V |
- |
280nC @ 10V |
13200pF @ 20V |
|
|
90W（Tc） |
5.8 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
D²PAK（TO-263） |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
BBS3002-TL-1E |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
100A（Ta） |
4V，10V |
- |
280nC @ 10V |
13200pF @ 20V |
|
|
90W（Tc） |
5.8 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
D²PAK（TO-263） |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
NTB35N15T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
37A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
100nC @ 10V |
3200pF @ 25V |
|
|
2W（Ta），178W（Tj） |
50 毫欧 @ 18.5A，10V |
|
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NVMFS5C404NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
- |
10V |
4V @ 250µA |
128nC @ 10V |
8400pF @ 25V |
|
|
3.9W（Ta），200W（Tc） |
0.7 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
|
NTMFS5C604NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
38A（Ta） |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
120nC @ 10V |
8900pF @ 25V |
|
|
3.9W（Ta），200W（Tc） |
1.2 毫欧 @ 50A，10V |
|
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
DMT6004SCT |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
|
10V |
4V @ 250µA |
95.4nC @ 10V |
4556pF @ 30V |
±20V |
- |
2.3W（Ta）, 113W（Tc） |
3.65 毫欧 @ 100A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-220-3 |
TO-220-3 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
