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Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N CH 60V 20A TO252
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5.85
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
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5.64
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
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5.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
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13.98
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
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4.71
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
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2.19
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
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1.14
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
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1.02
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
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46.65
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
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39.69
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V TO220AB
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33.81
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
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23.58
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 100A TO263
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21.42
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
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37.20
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
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12.81
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
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0.00
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
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24.51
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
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39.69
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
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38.76
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 9.4A
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产品型号
系列
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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5.58
另提供行业标准包装
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型号
DMN6040SK3-13
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5.58
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N CH 60V 20A TO252
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DMN6040SK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
±20V
-
42W(Tc)
40 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-252-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
含铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
5.85
另提供行业标准包装
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型号
DMN10H099SK3-13
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5.85
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
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DMN10H099SK3-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6V,10V
3V @ 250µA
25.2nC @ 10V
1172pF @ 50V
±20V
-
34W(Tc)
80 毫欧 @ 3.3A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
TO-252
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
5.64
另提供行业标准包装
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型号
DMP3036SFG-7
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5.64
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
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DMP3036SFG-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V,10V
2.5V @ 250µA
16.5nC @ 10V
1931pF @ 15V
±25V
-
950mW(Ta)
20 毫欧 @ 8A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
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5.01
另提供行业标准包装
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型号
DMN3032LE-13
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5.01
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
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DMN3032LE-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
11.3nC @ 10V
498pF @ 15V
±20V
-
1.8W(Ta)
29 毫欧 @ 3.2A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥
13.98
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型号
DMP2066LSN-7
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13.98
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
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DMP2066LSN-7
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
10.1nC @ 4.5V
820pF @ 15V
±12V
-
1.25W(Ta)
40 毫欧 @ 4.6A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
4.71
另提供行业标准包装
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型号
DMN30H4D0L-7
¥
4.71
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23
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DMN30H4D0L-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.7V,10V
3V @ 250µA
7.6nC @ 10V
187.3pF @ 25V
±20V
-
310mW(Ta)
4 欧姆 @ 300mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
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2.19
另提供行业标准包装
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型号
BSS84WQ-7-F
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2.19
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
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BSS84WQ-7-F
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V
2V @ 1mA
-
45pF @ 25V
±20V
-
200mW(Ta)
10 欧姆 @ 100mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
1.14
另提供行业标准包装
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型号
2N7002H-7
¥
1.14
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3
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2N7002H-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5V
3V @ 250µA
0.35nC @ 4.5V
26pF @ 25V
±20V
-
370mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥
1.02
另提供行业标准包装
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型号
DMN63D8L-7
¥
1.02
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
京电港自营
自营
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DMN63D8L-7
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,10V
1.5V @ 250µA
0.9nC @ 10V
23.2pF @ 25V
±20V
-
350mW(Ta)
2.8 欧姆 @ 250mA,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥
46.65
另提供行业标准包装
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型号
DMT6004SCT
¥
46.65
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
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DMT6004SCT
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
2.3W(Ta), 113W(Tc)
3.65 毫欧 @ 100A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
39.69
另提供行业标准包装
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型号
DMT10H010LCT
¥
39.69
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V TO220AB
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DMT10H010LCT
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
2W(Ta), 139W(Tc)
9.5 毫欧 @ 13A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
33.81
另提供行业标准包装
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型号
DMG9N65CT
¥
33.81
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
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DMG9N65CT
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
5V @ 250µA
39nC @ 10V
2310pF @ 25V
±30V
-
165W(Tc)
1.3 欧姆 @ 4.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
23.58
另提供行业标准包装
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型号
DMTH4004SCTBQ-13
¥
23.58
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 40V 100A TO263
京电港自营
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DMTH4004SCTBQ-13
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
68.6nC @ 10V
4305pF @ 25V
±20V
-
4.7W(Ta), 136W(Tc)
3 毫欧 @ 100A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
TO-263AB(D²PAK)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
21.42
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMT6009LCT
¥
21.42
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB
京电港自营
自营
对比
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DMT6009LCT
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
33.5nC @ 10V
1925pF @ 30V
±16V
-
2.2W(Ta), 25W(Tc)
12 毫欧 @ 13.5A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥
37.20
另提供行业标准包装
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型号
ZXMN2A02N8TA
¥
37.20
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
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ZXMN2A02N8TA
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5V,4.5V
700mV @ 250µA
18.9nC @ 4.5V
1900pF @ 10V
±12V
-
1.56W(Ta)
20 毫欧 @ 11A,4.5V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
12.81
另提供行业标准包装
立即购买
型号
ZXMP3A16N8TA
¥
12.81
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC
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ZXMP3A16N8TA
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
1V @ 250µA
29.6nC @ 10V
1022pF @ 15V
±20V
-
1.9W(Ta)
40 毫欧 @ 4.2A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
0.00
另提供行业标准包装
立即询价
型号
DI9400T
询价
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
京电港自营
自营
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DI9400T
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2.8V @ 250µA
25nC @ 10V
350pF @ 10V
±20V
-
1W(Ta)
130 毫欧 @ 1A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
8-SO
8-SMD,鸥翼型
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
24.51
另提供行业标准包装
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型号
DMTH6004SPSQ-13
¥
24.51
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
京电港自营
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DMTH6004SPSQ-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
95.4nC @ 10V
4556pF @ 30V
±20V
-
2.1W(Ta),167W(Tc)
3.1 毫欧 @ 50A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
39.69
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMNH6008SPS-13
¥
39.69
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI
京电港自营
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DMNH6008SPS-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
4V @ 250µA
40.1nC @ 10V
2597pF @ 30V
±20V
-
3.3W(Ta)
8 毫欧 @ 20A,10V
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥
38.76
另提供行业标准包装
立即购买
型号
DMT10H010LPS-13
¥
38.76
Diodes 晶体管-FET,MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 9.4A
京电港自营
自营
对比
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DMT10H010LPS-13
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3.5V @ 250µA
71nC @ 10V
3000pF @ 50V
±20V
-
1.2W(Ta), 139W(Tc)
9.5 毫欧 @ 13A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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